[发明专利]一种阵列基板及其制造方法、显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板。

背景技术

参照图1和图2，迄今较为普遍使用的一种薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）阵列基板的结构包括：形成在基板1上的栅线11和栅电极2；形成在形成有栅线11和栅电极2的基板1上的栅绝缘层3；形成在栅绝缘层3上的有源层7、源电极4和漏电极5；形成在形成有源层7、源电极4和漏电极5的基板1上的钝化层8，钝化层8上形成有过孔9；形成在钝化层8上的像素电极6，像素电极6通过过孔9与漏电极5连接。该结构的阵列基板因其良好的工程控制能力等原因，得到了广泛的应用。

上述阵列基板的结构存在如下问题：

用于连接像素电极6和漏电极5的过孔9位于像素区域，而该过孔9所在的区域是不透光的，从而影响了阵列基板的开口率；

因顶栅极（Top Gate）结构会发生有源层受光照影响等不利因素，一般采用底栅极（Bottom Gate）结构，在底栅极结构中，源漏电极和栅电极一般位于有源层的异侧，如图2所示，栅电极2打开时，电流通道C形成在有源层7的下侧，而该电流通道C与源电极4和漏电极5之间还间隔有有源层7的厚度方向对应的区域，由于有源层7具有半导体的低导电特性，电流通过这一厚度区域会降低TFT的导电特性（戴亚翔等，《TFT LCD面板的驱动与设计》，第22页，清华大学出版社，2008.11）。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制造方法、显示面板及显示装置，以提高阵列基板的开口率。

为解决上述技术问题，本发明提供技术方案如下：

一种阵列基板，包括：

基板；

形成在基板上的栅线和栅电极；

形成在形成有栅线和栅电极的基板上的栅绝缘层；

形成在栅绝缘层上的源电极、漏电极和像素电极，所述源电极和漏电极包括至少两层导电层，所述像素电极与所述漏电极直接连接；

形成在栅绝缘层、源电极和漏电极上的有源层。

具体地，所述源电极和漏电极包括两层导电层，所述两层导电层为透明电极层和金属层，所述像素电极与透明电极层一体形成。

优选地，所述阵列基板还包括：

形成在所述源电极、漏电极和有源层上的钝化层，所述钝化层上形成有过孔；

形成在所述钝化层上的数据线，所述数据线通过所述过孔和所述源电极连接。

优选地，所述阵列基板还包括：

形成在源电极与有源层之间以及漏电极与有源层之间的欧姆接触层。

一种阵列基板制作方法，包括：

在基板上形成栅线和栅电极；

在形成有栅线和栅电极的基板上形成栅绝缘层；

在栅绝缘层上依次沉积至少两层导电层，对所述至少两层导电层进行构图，形成源电极、漏电极和像素电极；

在栅绝缘层、源电极和漏电极上形成有源层。

所述形成的源电极、漏电极和像素电极具体为：

在栅绝缘层上依次沉积两层导电层，所述两层导电层为所述透明电极层和所述金属层，对透明电极层和金属层进行构图，形成源电极、漏电极和像素电极。

优选地，所述制作方法还包括：

在所述源电极、漏电极和有源层上形成钝化层；

在所述钝化层上形成过孔；

在所述钝化层上形成数据线，所述数据线通过所述过孔与所述源电极连接。

优选地，所述制作方法还包括：

在源电极与有源层之间以及漏电极与有源层之间形成欧姆接触层。

一种显示面板，包括上述阵列基板。

与现有技术相比，本发明的技术方案通过采用透明电极层和金属层形成的源漏电极，来使得像素电极与漏电极直接连接，由于不需要在像素区域形成过孔，从而提高了阵列基板的开口率。

进一步地，通过采用透明电极层和金属层形成的叠合层作源电极和漏电极，可以很容易形成源漏电极和栅电极位于有源层同侧的结构，使源漏电极直接与电流通道相连，提高了TFT器件的导电性能。

附图说明

图1为现有技术的阵列基板的平面示意图；

图2为现有技术的阵列基板的截面示意图

图3为本发明实施例的阵列基板的平面示意图；

图4为本发明实施例的阵列基板的截面示意图；

图5～图8为本发明实施例的阵列基板的制作过程示意图。

附图标记：