[发明专利]移位寄存器存储器及其驱动方法

权利要求书

1.一种移位寄存器存储器包括：

磁柱，包括多个磁性层和在彼此邻近的所述磁性层之间提供的非磁性层；

应力施加部分，被配置为向所述磁柱施加应力，而所述磁性层的磁化状态被沿所述磁性层的层叠方向转移；以及

磁场施加部分，向所述磁柱施加静磁场。

2.根据权利要求1的存储器，还包括在所述磁柱的一端上提供的感应元件，所述感应元件检测在所述磁柱中转移的所述磁化状态。

3.根据权利要求1的存储器，其中通过向所述磁柱施加所述应力旋转在所述磁柱中的所述磁性层的易磁化方向。

4.根据权利要求2的存储器，其中通过向所述磁柱施加所述应力旋转在所述磁柱中的所述磁性层的易磁化方向。

5.根据权利要求1的存储器，其中通过使用环绕所述磁柱提供的铁电膜形成所述应力施加部分。

6.根据权利要求2的存储器，其中通过使用环绕所述磁柱提供的铁电膜形成所述应力施加部分。

7.根据权利要求3的存储器，其中通过使用环绕所述磁柱提供的铁电膜形成所述应力施加部分。

8.根据权利要求2的存储器，其中所述感应元件是磁隧道结元件。

9.根据权利要求1的存储器，其中

设置多个所述磁柱，

环绕所述磁柱分别提供所述应力施加部分，以及

所述应力施加部分通过向所述磁柱施加电压而产生的电场向所述磁柱施加所述应力。

10.根据权利要求2的存储器，其中

设置多个所述磁柱，

环绕所述磁柱分别提供所述应力施加部分，以及

所述应力施加部分通过向所述磁柱施加电压而产生的电场向所述磁柱施加所述应力。

11.根据权利要求3的存储器，其中

设置多个所述磁柱，

环绕所述磁柱分别提供所述应力施加部分，以及

所述应力施加部分通过向所述磁柱施加电压而产生的电场向所述磁柱施加所述应力。

12.根据权利要求5的存储器，其中

设置多个所述磁柱，

环绕所述磁柱分别提供所述应力施加部分，以及

所述应力施加部分通过向所述磁柱施加电压而产生的电场向所述磁柱施加所述应力。

13.根据权利要求9的存储器，其中

所述磁场施加部分是填充在所述邻近磁柱之间的永磁体或者铁磁材料。

14.根据权利要求1的存储器，其中还包括在所述磁柱和所述应力施加部分之间提供的扩散抑制膜，所述扩散抑制膜抑制所述磁性层的材料和所述应力施加部分的材料的扩散。

15.根据权利要求1的存储器，其中

设置在第一方向上的所述磁柱构成柱列，以及

彼此邻近的多个所述柱列中的所述磁柱的位置移位所述磁柱的总宽度和在所述第一方向上彼此邻近的两个磁柱之间的间隔的半栅距。

16.根据权利要求1的存储器，其中

以矩阵形式二维设置所述磁柱。

17.一种驱动移位寄存器存储器的方法，所述移位寄存器存储器包括：磁柱，包括多个磁性层和在彼此邻近的所述磁性层之间提供的多个非磁性层；应力施加部分，向所述磁柱施加应力；以及磁场施加部分，向所述磁柱施加静磁场，

所述方法包括：

通过向所述磁柱施加所述应力，将所述磁性层的所述磁化状态沿所述磁性层的层叠方向转移。

18.根据权利要求17的方法，其中通过向所述磁柱施加所述应力产生的反磁致伸缩效应旋转在所述磁柱中的所述磁性层的易磁化方向，来实施所述磁性层的所述磁化状态的所述转移。

19.根据权利要求17的方法，其中

设置所述磁柱，

环绕所述磁柱分别提供所述应力施加部分，以及

通过向所述磁柱施加电压而产生的电场向所述磁柱施加所述应力，实施所述磁性层的所述磁化状态的所述转移。

20.根据权利要求18的方法，其中

设置所述磁柱，

环绕所述磁柱分别提供所述应力施加部分，以及

通过向所述磁柱施加电压而产生的电场向所述磁柱施加所述应力，实施所述磁性层的所述磁化状态的所述转移。