[发明专利]一种多层陶瓷元件空腔成形方法

权利要求书

1.一种多层陶瓷元件空腔成形方法，其特征是：将生瓷材料加工成多种形状的填充物，并填入与多层陶瓷元件内的空腔形状相对应的空腔内，该生瓷材料在烧结过程中生成气体排出，形成多层陶瓷元件的空腔。

2.根据权利要求1所述的多层陶瓷元件空腔成形方法，其特征是：所述填充物的加工步骤为：

1）生瓷材料通过流延加工成生瓷带；

2）将生瓷带经过叠片和层压工艺得到与多层陶瓷元件的空腔深度相同的生瓷体；

3）再将生瓷体加工成与多层陶瓷元件内的空腔形状相同的填充物。

3.根据权利要求1所述的多层陶瓷元件空腔成形方法，其特征是：所述生瓷材料为在烧结过程中可发生化学反应、产生气体的生瓷。

4.根据权利要求2所述的多层陶瓷元件空腔成形方法，其特征是：所述生瓷材料通过流延加工成0.05mm～0.5mm厚度的生瓷带。

5.根据权利要求2所述的多层陶瓷元件空腔成形方法，其特征是：所述生瓷体采用激光加工或热切割的方式加工成与空腔形状相同的填充物。

6.根据权利要求1所述的多层陶瓷元件空腔成形方法，其特征是：所述烧结过程的温度在300℃～800℃之间。

7.根据权利要求1、2或6所述的多层陶瓷元件空腔成形方法，其特征是：所述生瓷材料在烧结过程中的300℃～800℃之间发生化学反应、生成气体。