[发明专利]一种制备周期性V形纳米硅槽的倍频方法

权利要求书

1.一种制备周期性V形纳米硅槽的倍频方法，包括如下步骤：

步骤1，在硅衬底上沉积二氧化硅掩膜层；

步骤2，在所述二氧化硅掩膜层之上旋涂光刻胶，制备周期性纳米光刻胶光栅图形；

步骤3，采用干法刻蚀技术将该光刻胶光栅图形转移至二氧化硅掩膜层，同时在刻蚀过后的硅层上留下可充当刻蚀掩膜作用的氟碳基有机聚合物层；

步骤4，将步骤3得到的衬底放入腐蚀液进行腐蚀，将光刻胶光栅图形倍频转移至硅层上；

步骤5，利用氢氟酸溶液去除二氧化硅掩膜层，采用干法刻蚀技术去除氟碳基有机聚合物层，得到清洁的倍频V形纳米硅槽衬底。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

在所述步骤1中，采用如下方式之一在硅衬底上沉积二氧化硅掩膜层：

化学气相沉积、物理气相沉积、溅射法、电子束沉积、氢化物气相沉积、热氧化法。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

在所述步骤2中，采用如下方式之一制备周期性纳米光刻胶光栅图形：

电子束曝光、聚焦离子束曝光、纳米压印、激光干涉曝光等。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

在所述步骤3中，所采用的干法刻蚀技术为反应离子刻蚀或感应耦合等离子体刻蚀，刻蚀气体为三氟化碳和氩的混合气体。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述腐蚀液为氢氧化钾溶液。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，

在所述步骤4中，腐蚀的温度为30~70℃，腐蚀的时间为1~10分钟，所述腐蚀液为质量分数为13%的氢氧化钾溶液。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

在所述步骤5中，所采用的干法刻蚀技术为反应离子刻蚀或感应耦合等离子体刻蚀，刻蚀气体为氧气或氯气。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述硅衬底为N型硅（100）衬底。