[发明专利]半导体封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

一承载板，具有一第一表面及与该第一表面相对而设的一第二表面；

一第一芯片，设于该第一表面上，且电性连接于该承载板；

一第一半导体封装结构，设于该第一表面上且邻近该第一芯片；以及

一第一封胶体，邻接于该第一表面，且覆盖该第一芯片及该第一半导体封装结构，其中该第一封胶体具有一阶梯状结构，该阶梯状结构位于该第一芯片及该第一半导体封装结构之间。

2.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该第一封胶体具有多个开口，所述多个开口环绕该第一芯片，且所述多个开口内设有多个第一导电组件。

3.如权利要求2所述的半导体封装件，其特征在于，更包含一第二半导体封装结构，该第二半导体封装结构包括：

一基板，具有一上表面及与该上表面相对而设的一下表面；

一第二芯片，电性连接至该基板；

一第二封胶体，邻接于该基板的该上表面且覆盖该第二芯片；以及

多个第二导电组件，所述多个第二导电组件与对应的所述多个第一导电组件合并形成多个堆栈组件，其中该第二半导体封装结构透过所述多个堆栈组件与该承载板电性连接，

其中，该第一封胶体具有一对应于该第一芯片的第一高度及一对应于该第一半导体封装结构的第二高度，该第二高度大于该第一高度，且该第一高度大于所述多个第一导电组件的高度。

4.如权利要求3所述的半导体封装件，其特征在于，更包括：

一接地接垫，设置在该承载板的该第一表面上且对应于该阶梯状结构；

一金属盖，耦接该接地接垫且暴露于该第一封胶体结构之外；

一底部填充胶，填充于该基板、该第一封胶体及所述多个堆栈组件之间；以及

一屏蔽层，覆盖该第一封胶体的一外表面、该第二封胶体的一外表面以及该金属盖。

5.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该第一封胶体暴露出该第一半导体封装结构的一上表面及部份的侧壁。

6.如权利要求5所述的半导体封装件，其特征在于，更包括：

一散热片，该散热片的表面积大于或等于该第一半导体封装结构的该上表面的表面积，以覆盖该第一半导体封装结构的该上表面及该部分的侧壁。

7.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该承载板具有一凹槽，该第一芯片设置于该凹槽内。

8.一种半导体封装件的制造方法，包括：

提供一承载板，具有一第一表面及与该第一表面相对而设的一第二表面；

电性连接一第一芯片至该第一表面；

邻近该第一芯片设置一第一半导体封装结构于该第一表面上；以及

形成一第一封胶体于该第一表面上，该第一封胶体覆盖该第一芯片及该第一半导体封装结构，且该第一封胶体具有一阶梯状结构，该阶梯状结构位于该第一芯片及该第一半导体封装结构之间。

9.如权利要求8所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，形成该第一封胶体的步骤包括：

形成多个第一导电组件于该承载板的该第一表面上，且所述多个第一导电组件环绕该第一芯片；

对应该阶梯状结构的位置设置一金属盖于该承载板的该第一表面上，该金属盖电性连接至该承载板的一接地接垫；

形成该第一封胶体于该基板的该第一表面上，该第一封胶体覆盖所述多个第一导电组件、该第一芯片及该第一半导体封装结构，该第一封胶体对应该第一芯片处具有一第一高度，该第一封胶体对应该第一半导体封装结构处具有一第二高度，该第一高度小于该第二高度；以及

利用激光钻孔该第一封胶体，以形成多个开口并暴露出所述多个第一导电组件。

10.如权利要求8所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，更包含设置一第二半导体封装结构于该半导体封装件之上，其中该第二半导体封装结构包括：

一基板，具有一上表面及与该上表面相对的一下表面；

一第二芯片，电性连接至该基板；

一第二封胶体，邻接于该基板的该上表面且覆盖该第二芯片；以及

多个第二导电组件，设置于该基板的该下表面，

其中，所述多个第二导电组件与对应的所述多个第一导电组件合并形成多个堆栈组件。