[发明专利]钽电容器无效
| 申请号： | 201210330406.7 | 申请日： | 2012-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN103000380A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 赵泰衍 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01G9/012 | 分类号： | H01G9/012;H01G9/14;H01G9/15 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 陈潇潇;南毅宁 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钽电容 | ||
1.一种钽电容器，该钽电容器包括：
通过烧结钽粉末形成的芯片烧结体；以及
由铌（Nb）形成并具有位于所述芯片烧结体内部的插入区和位于所述芯片烧结体外部的非插入区的阳极引出线。
2.根据权利要求1所述的钽电容器，其中，所述芯片烧结体包括顺序地涂覆在它的表面上的介电氧化物涂层、具有负极性的固态电解质层以及阴极加固层。
3.根据权利要求2所述的钽电容器，其中，所述固态电解质层由选自由锰氧化物（MnO2）和导电聚合物构成的群中的至少一者形成。
4.根据权利要求3所述的钽电容器，其中，所述导电聚合物选自由聚吡咯、聚乙撑二氧噻吩（PEDOT）和聚苯胺构成的群中的至少一者。
5.根据权利要求2所述的钽电容器，其中，所述阴极加固层通过顺序地分层堆积碳和银（Ag）形成。
6.一种钽电容器，该钽电容器包括：
通过烧结钽粉末形成并具有安装表面的芯片烧结体；
用于允许所述芯片烧结体被安装于其上的阴极引线框架；
由铌（Nb）形成并具有位于所述芯片烧结体内部的插入区和位于所述芯片烧结体外部的非插入区的阳极引出线；
连接到由铌（Nb）形成的所述阳极引出线的所述非插入区的阳极引线框架；以及
环绕所述芯片烧结体和由铌（Nb）形成的所述阳极引出线的树脂浇铸部。
7.根据权利要求6所述的钽电容器，其中，所述芯片烧结体包括顺序地涂覆在它的表面上的介电氧化物涂层、具有负极性的固态电解质层以及阴极加固层。
8.根据权利要求7所述的钽电容器，其中，所述固态电解质层由选自由锰氧化物（MnO2）和导电聚合物构成的群中的至少一者形成。
9.根据权利要求8所述的钽电容器，其中，所述导电聚合物选自由聚吡咯、聚乙撑二氧噻吩（PEDOT）和聚苯胺构成的群中的至少一者。
10.根据权利要求7所述的钽电容器，其中，所述阴极加固层通过顺序地分层堆积碳和银（Ag）形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电机株式会社，未经三星电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210330406.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
