[发明专利]一种沟槽电荷补偿肖特基半导体装置及其制备方法

权利要求书

1.一种沟槽电荷补偿肖特基半导体装置，其特征在于：包括：

衬底层，为半导体材料构成；

漂移层，为第一导电类型半导体材料构成，位于衬底层之上；多个

沟槽，位于漂移层中，沟槽内壁设置有绝缘材料层，沟槽内设置有多晶第二导电类型半导体材料和多晶第一导电类型半导体材料，多晶第一导电类型半导体材料位于多晶第二导电类型半导体材料表面，沟槽内多晶第二导电类型半导体材料位于沟槽内下部，同时沟槽内多晶第一导电类型半导体材料位于沟槽内上部，或者沟槽内多晶第二导电类型半导体材料位于沟槽绝缘材料层内壁，并且形成沟槽，同时此沟槽内设置填充多晶第一导电类型半导体材料；

肖特基势垒结，位于沟槽之间漂移层表面。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的衬底层为高浓度杂质掺杂的第一导电类型半导体材料，杂质掺杂浓度大于等于1E17cm^-3。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：表面电极金属将沟槽内多晶半导体材料与肖特基势垒结并联。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的漂移层第一导电类型半导体材料与沟槽内多晶半导体材料可以形成电荷补偿。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的沟槽内多晶第一导电类型半导体材料和多晶第二导电类型半导体材料可以形成电荷补偿。

6.如权利要求1所述的一种沟槽电荷补偿肖特基半导体装置的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)在衬底层表面形成第一导电类型半导体材料层，然后表面形成绝缘材料层；

2)进行光刻腐蚀工艺去除表面部分绝缘材料，然后刻蚀去除部分裸露半导体材料形成沟槽；

3)进行热氧化工艺，在沟槽内形成绝缘材料层；

4)淀积多晶第二导电类型半导体材料，反刻蚀多晶第二导电类型半导体材料，注入第一导电类型杂质退火；

5)淀积势垒金属，进行烧结形成肖特基势垒结。

7.如权利要求1所述的一种沟槽电荷补偿肖特基半导体装置的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)在衬底层表面形成第一导电类型半导体材料层，然后表面形成绝缘材料层；

2)进行光刻腐蚀工艺去除表面部分绝缘材料，然后刻蚀去除部分裸露半导体材料形成沟槽；

3)进行热氧化工艺，在沟槽内形成绝缘材料层；

4)淀积多晶第二导电类型半导体材料，再次淀积多晶第一导电类型半导体材料，反刻蚀多晶半导体材料；

5)淀积势垒金属，进行烧结形成肖特基势垒结。