[发明专利]液晶显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种液晶显示面板。

背景技术

液晶显示装置（LCD，Liquid Crystal Display）具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示装置，其包括液晶显示面板及背光模组（backlight module）。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，通过玻璃基板通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。

通常液晶显示面板由彩膜基板（CF，Color Filter）、薄膜晶体管基板（TFT，Thin Film Transistor)、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶（LC，Liquid Crystal）及密封胶框（Sealant）组成，其成型工艺一般包括：前段阵列（Array）制程（薄膜、黄光、蚀刻及剥膜）、中段成盒（Cell）制程（TFT基板与CF基板贴合）及后段模组组装制程（驱动IC与印刷电路板压合）。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的运动；中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。

请参阅图1A至图1E，为现有的五道光罩制程制得的TFT基板的对应结构示意图，其先在玻璃基100上形成栅极101，在栅极101上形成栅极绝缘层103，在栅极绝缘层103上形成半导体层105，在半导体层105上形成源极107与漏极109，之后，再形成绝缘层110、沟道113及ITO（Indium Tin Oxides，铟锡金属氧化物）层115，进而制得TFT基板。

为了降低生产成本，本领域技术人员对TFT基板制程进一步简化，请参阅图2A至图2D，为现有的四道光罩制程制得的TFT基板的对应结构示意图，其先蚀刻金属层310，再干刻光阻材料（PR）层330，然后，通过蚀刻在金属层上形成沟道，最后，通过干刻去除部分掺氮的氢化非晶硅（n+a-Si:H）层350，进一步形成沟道。在本制程中，控制半色调光阻材料（half-tone PR）的厚度为制程稳定度的关键，如果半色调光阻材料过薄，则容易造成沟道尺寸异常与沟道脏污（Channel dirt），而半色调光阻材料过厚，则会造成沟道113”过短（Channel short）。

请参阅图3，常见的TFT基板中，每一单一的像素（sub pixel）中可包含一个对称式TFT500与一非对称式TFT700，当采用上述四道光照制程制得TFT基板时，对称式TFT500的半色调光阻材料一般较非对称式TFT700的半色调光阻材料厚，这就容易造成阵列屈服缺陷（array yield loss）。

发明内容

本发明的目的在于提供一种液晶显示面板，其有效解决了对称式薄膜晶体管与非对称式薄膜晶体管之间半色调光阻材料厚度差异过大的问题，进而提升了阵列强度。

为实现上述目的，本发明提供一种液晶显示面板，包括：TFT基板、贴合该TFT基板设置的CF基板，所述TFT基板上形成有数个第一薄膜晶体管及数个第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管为对称式薄膜晶体管，其具有第一沟道，所述第二薄膜晶体管为非对称式薄膜晶体管，其具有第二沟道，所述第一沟道的长度较第二沟道的长度大0.2~0.4μm。

所述第一沟道的长度较第二沟道的长度大0.3μm。

所述第一沟道的长度为2.7~4.9μm。

所述第二沟道的长度为2.5~4.5μm。

还包括设于TFT基板与CF基板之间的液晶及密封胶框。

还包括贴设于TFT基板远离CF基板表面的下偏光片及贴设于CF基板远离TFT基板表面的上偏光片。

还包括贴设于TFT基板靠近CF基板表面的第一配向膜及贴设于CF基板靠近TFT基板表面的第二配向膜。

所述TFT基板包括第一玻璃基板，所述第一与第二薄膜晶体管通过光罩制程形成于该第一玻璃基板上。

所述CF基板包括第二玻璃基板及形成于该第二玻璃基板上的数个像素单元，每一像素单元包括数个子像素，每一子像素对应一第一薄膜晶体管及一第二薄膜晶体管。