[发明专利]一种复合掩模板

权利要求书

1.一种复合掩模板，包括掩模层和支撑层，其特征在于，所述掩模层包括有开口，所述开口构成掩模板图案区；所述支撑层包括有与所述掩模层开口相对应的支撑条，所述支撑层与所述掩模层紧密结合，起到对所述掩模层支撑作用，且所述支撑层不会对所述开口形成遮挡。

2.根据权利要求1所述的复合掩模板，其特征在于，所述复合掩模板至少有一个掩模图案区。

3.根据权利要求1所述的复合掩模板，其特征在于，所述复合掩模板上任一所述掩模层开口置于所述支撑层中相邻的两个所述支撑条之间，相邻的所述支撑条的间距是所述掩模层开口间距的n倍，所述n大于等于1且为正整数。

4.根据权利要求1所述的复合掩模板，其特征在于，所述支撑层采用具有磁性能的合金材料。

5.根据权利要求4所述的复合掩模板，其特征在于，所述支撑层采用因瓦合金材料。

6.根据权利要求1所述的复合掩模板，其特征在于，所述掩模层采用耐磨、耐高温、耐酸碱且与所述支撑层之间有良好附着力的材料。

7.根据权利要求6所述的复合掩模板，其特征在于，所述掩模层采用性能稳定的聚合高分子材料。

8.根据权利要求1所述的复合掩模板，其特征在于，所述掩模层厚度大于等于2μm，小于等于20μm。

9.根据权利要求8所述的复合掩模板，其特征在于，所述掩模层厚度为2μm或6μm或10或14μm或18μm或20μm。

10.根据权利要求1所述的复合掩模板，其特征在于，所述支撑层厚度大于等于20μm，小于等于60μm。

11.根据权利要求10所述的复合掩模板，其特征在于，所述支撑层厚度为20μm或30μm或40μm或50μm或60μm。

12.根据权利要求1所述的复合掩模板，其特征在于，所述掩模层开口通过镭射工艺刻制。

13.根据权利要求1所述的复合掩模板，其特征在于，所述支撑层通过蚀刻或电铸或激光切割工艺制备。

14.根据权利要求1所述的复合掩模板，其特征在于，所述掩模板开口边缘可以是垂直直角或是倒角或是过渡曲线。