[发明专利]固态图像拾取器件和相机系统在审

专利信息
申请号: 201210326409.3 申请日: 2012-09-05
公开(公告)号: CN103002231A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 海老原弘知;浅山豪 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H04N5/374 分类号: H04N5/374;H04N5/3745;H04N5/378
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张贵东
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 固态 图像 拾取 器件 相机 系统
【说明书】:

技术领域

本公开涉及以互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器为代表的固态图像拾取器件和相机系统。

背景技术

作为固态图像拾取器件(图像传感器)的电荷耦合器件(CCD)的输出电路典型地是单通道(ch)输出,对其使用包括浮置扩散(FD)层的FD放大器。

另一方面,CMOS图像传感器包括用于其中的每个像素的FD放大器,并且其输出典型地是列并行输出类型,其中在像素阵列中选择特定行,并且在列方向上同时读取。

这是因为难以利用像素内提供的FD放大器获得足够的驱动能力,因此数据速率降低,这可以通过并行处理有利地实现。

这样的CMOS图像传感器广泛用于图像拾取装置(如数字相机、便携式摄像机、监视相机或车载相机)作为图像拾取器件。

图1是图示其中以二维阵列安排像素的CMOS图像传感器的一般配置示例的图。

图1所示的CMOS图像传感器10包括像素阵列单元11、行选择电路12和读取电路(列处理电路:AFE)13。

在像素阵列单元11中,以具有M行和N列的矩阵安排像素电路。

电源电压VDD直接提供给像素阵列单元11。

行选择电路12控制像素阵列单元11中的任意行中安排的像素的操作。行选择电路12通过控制线LSEL、LRST和LTRG控制像素。

读取电路13通过信号输出线LSGN,接收关于通过行选择电路12经历读取控制的像素行的数据,并且将该数据传送给后级的信号处理电路。

读取电路13包括相关倍采样(CDS)电路和模拟到数字转换器(ADC)。

图2是图示包括四个晶体管的CMOS图像传感器中的像素电路的示例的图。

像素电路20例如包括具有光电二极管(PD)的光电转换元件(以下也简称为PD)21。对于该单个光电转换元件21,像素电路20包括四个晶体管(即,传送晶体管22、重置晶体管23、放大晶体管24和选择晶体管25)作为有源元件。

光电转换元件21根据入射光量,将入射光转换为特定量的电荷(这里,电子)。

传送晶体管22连接在光电转换元件21和浮置扩散FD(以下也简称为FD)之间,并且传送信号(驱动信号)TRG通过传送控制线LTRG提供给传送晶体管22的栅极(传送栅极)。

因此,已经通过光电转换元件21经历光电转换的电子传送到浮置扩散FD。

重置晶体管23连接在电源线LVDD和浮置扩散FD之间,并且重置信号RST通过重置控制线LRST提供给重置晶体管23的栅极。

因此,浮置扩散FD的电势重置为电源线LVDD的电势。

放大晶体管24的栅极连接到浮置扩散FD。放大晶体管24通过选择晶体管25连接到信号线26(图1所示的LSGN)以配置像素外的恒流源和源极跟随器。

地址信号(选择信号)SEL通过选择控制线LSEL提供给选择晶体管25的栅极,并且导通选择晶体管25。

当选择晶体管25已经导通时,放大晶体管24放大浮置扩散FD的电势,并且输出根据该电势的电压到信号线26。通过信号线26从每个像素输出的电压输出到读取电路。

在每个像素的重置操作中,光电转换元件21中累积的电荷传送到浮置扩散FD,然后通过导通传送晶体管22放电。

此时,重置晶体管23事先导通,并且将电荷放电到电源侧,使得浮置扩散FD可以接收光电转换元件21中的电荷。可替代地,重置晶体管23在传送晶体管22导通的同时导通,以便直接将电荷放电到电源。

该一系列操作将简称为“像素重置操作”或“快门操作”。

另一方面,在读取操作中,首先,重置晶体管23导通以重置浮置扩散FD,并且选择晶体管25在该状态下导通以输出电荷到输出信号线26。这称为“P阶段输出”。

接着,传送晶体管22导通以将光电转换元件21中累积的电荷传送到浮置扩散FD,并且将浮置扩散FD的输出输出到输出信号线26。这称为“D阶段输出”。

在像素电路外部获得D阶段输出和P阶段输出之间的差,并且抵消浮置扩散FD的重置噪声以获得图像信号。

该一系列操作将简称为“像素读取操作”。

传送控制线LTRG、重置控制线LRST和选择控制线LSEL通过行选择电路12顺序地驱动。

作为像素电路的配置,可以采用三晶体管配置(3Tr型)像素电路、五晶体管配置(5Tr型)像素电路等来替代四晶体管配置(4Tr型)像素电路。

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