[发明专利]一种石墨烯/二硫化钼复合电极材料及其制备方法有效
申请号: | 201210326035.5 | 申请日: | 2012-09-05 |
公开(公告)号: | CN102839388A | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 丁古巧;杜福平;谢晓明;江绵恒 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | C25B11/06 | 分类号: | C25B11/06;C25B11/12 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 许亦琳;余明伟 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 石墨 二硫化钼 复合 电极 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种石墨烯/二硫化钼复合电极材料的制备方法,具体步骤如下:
1)以石墨为原料,通过氧化插层法制备氧化石墨;
2)将步骤1)制备的氧化石墨用去离子水溶解,超声剥离获得氧化石墨烯溶液,然后向氧化石墨烯溶液中加入DMF、钼酸盐,最后加入还原剂,分散均匀,获得混合溶液;
3)将步骤2)制备的混合溶液转移到反应釜中,在大于等于180℃的温度条件下保温5~10h,将得到的产物离心后,用去离子水多次洗涤除去DMF,干燥,获得石墨烯/二硫化钼复合电极材料产物。
2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤2)所述超声剥离的时间为5~20min。
3.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤2)中氧化石墨与去离子水的质量比为0.1~10:1000。
4.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤2)中加入的DMF与去离子水的质量比为0.5~10:1。
5.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤2)中加入的钼酸盐与氧化石墨的摩尔比为1:0.1~3。
6.如权利要求1或5任一权利要求所述的制备方法,其特征在于,步骤2)所述钼酸盐为可溶性硫代钼酸盐。
7.如权利要求6所述的制备方法,其特征在于,步骤2)所述钼酸盐为四硫代钼酸铵或四硫代钼酸钠。
8.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤2)所述还原剂选自水合肼或氢碘酸。
9.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤3)反应釜的反应温度为300~600℃。
10.按照权利要求1-9任一权利要求所述方法制备的石墨烯/二硫化钼复合电极材料,所述石墨烯/二硫化钼复合电极材料中石墨烯与二硫化钼的摩尔比为0.1~3:1。
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