[发明专利]一种薄膜太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜太阳能电池，包括透明绝缘基板和依次堆叠在透明绝缘基板上的压印阻挡层、第一电极、光电转换层、第二电极，其特征在于：在压印阻挡层上构筑有具有图案化的纳米结构。

2.根据权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池，其特征在于：所述的压印阻挡层为有机或无机薄膜。

3.根据权利要求2述的一种薄膜太阳能电池，其特征在于：所述的薄膜为聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、有机硅材料、丙烯酸酯类、环氧树脂、金属、半导体中的一种或是多种的叠层。

4.根据权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池，其特征在于：构筑具有图案化的纳米结构所用的技术为纳米压印技术。

5.根据权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池，其特征在于：图案化的纳米结构为光栅、柱形、锥形、点阵及坑形结构。

6.根据权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池，其特征在于：第一电极层与第二电极层均为金属、透明导电氧化物或其复合结构。

7.根据权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池，其特征在于：光电转换层为硅基薄膜层、碲化镉基薄膜层、铜铟镓硒基薄膜层或叠层结构。

8.一种薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于：该方法的步骤如下：

步骤1）、采用涂覆或溅射或沉积的方法在干净的超白浮法玻璃表面上镀制有机或无机薄膜，得到压印阻挡层；

步骤2）、将带有压印阻挡层的玻璃基板连同模板一起放入压印系统中，进行热压印处理，结束后在压印阻挡层表面得到纳米结构；

步骤3）、在压印阻挡层表面利用化学气相沉积技术或者溅射技术镀制金属或透明氧化物或其复合物，得到第一电极，第一电极仍保留了压印阻挡层上的纳米结构；

步骤4）、用激光刻蚀技术构筑第一道刻槽，去除压印阻挡层和第一电极材料，并对基底进行清洗，然后在第一电极上镀制光电转换层；

步骤5）、对光电转换层进行激光刻蚀或机械刻蚀，去除光电转换层，形成平行于第一道刻槽的第二道刻线；

步骤6）、在光电转换层表面镀制第二电极，并对镀制完第二电极的电池进行平行于第一道刻槽和第二道刻槽的刻划，去除第二电极和光电转换层，从而形成电池串联结构。

9.根据权利要求8所述的薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于：步骤1）中所述的有机或无机薄膜的为聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、有机硅材料、丙烯酸酯类、环氧树脂、金属、半导体中其一或是多个的叠层，其厚度为10-300nm，且厚度大于压印模板特征尺寸的高度。

10.根据权利要求8所述的薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于：步骤2）中所述的热压印的压力为0.5-3MPa，时间为3min，温度为80-300℃。