[发明专利]一种Mg2Si热电材料的制备方法无效
| 申请号： | 201210325893.8 | 申请日： | 2012-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN102897768A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 周园;曹萌萌;任秀峰;李翔;年洪恩;张斌斌;孙庆国;曾金波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院青海盐湖研究所 |
| 主分类号： | C01B33/06 | 分类号： | C01B33/06 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 | 代理人： | 李艳华 |
| 地址： | 810008*** | 国省代码： | 青海;63 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mg sub si 热电 材料 制备 方法 | ||
1.一种Mg2Si热电材料的制备方法，包括以下步骤：
⑴将Mg粉和Si粉按2.01~2.13:1的摩尔比在Ar保护气氛下混合均匀，得到混合物；
⑵将所述混合物放入充有一个大气压Ar的手套箱中，并将该手套箱装入不锈钢真空球磨罐中，以200~300rpm的转速进行间歇式球磨5~20h，以活化粉末表面并得到均匀的混合粉体，其中球料质量比为10~20:1；
⑶将所述混合粉体在10~20MPa的压力下保压3~10min进行压片，得到Mg-Si混合粉体压片；
⑷将所述Mg-Si混合粉体压片装入与之规格相匹配的石墨模具中，并将该石墨模具置于Ar气氛下的管式炉进行一次烧结、保温，即得Mg2Si热电材料的合金粉体；
⑸将所述Mg2Si热电材料的粉体在20~30MPa的压力下保压10~20 min进行压片，得到Mg2Si合金片；
⑹将所述Mg2Si合金片装入与之规格相匹配的石墨模具中，并将该石墨模具置于Ar气氛下的管式炉进行二次烧结、保温，即得Mg2Si块体热电材料。
2.如权利要求1所述的一种Mg2Si热电材料的制备方法，其特征在于：所述步骤⑵中不锈钢真空球磨罐中钢球粒径为0.5~1.5cm。
3.如权利要求1所述的一种Mg2Si热电材料的制备方法，其特征在于：所述步骤⑷中一次烧结、保温的条件是指以5~10℃/min的升温速率升至500~600℃，保温时间为7~9h。
4.如权利要求1所述的一种Mg2Si热电材料的制备方法，其特征在于：所述步骤 中二次烧结、保温的条件是指以5~10℃/min的升温速度升至800~850℃，保温时间为0.5~2h。
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