[发明专利]一种位相型纳米物体表面等离子体超分辨成像方法

权利要求书

1.一种位相型纳米物体表面等离子体超分辨成像方法，照明光从透明载玻片底部垂直入射，位相型纳米物体表面等离子体超分辨成像器件能够增强生物样本层的位相型纳米物体的散射倏逝场，并且能够有效抑制背景透射照明光对位相型纳米物体近场成像的影响，其特征在于步骤如下：

步骤（1）、选择照明光的工作波长λ，根据其波长选择可透光的载玻片材料；

步骤（2）、照明光的偏振模式要求选择线偏振、圆偏振或自然偏振；

步骤（3）、金属薄膜材料为能够激发表面等离子体的金属金、银、铝或铜，其介电常数为ε_m；

步骤（4）、根据照明光波长选择介电常数匹配的金属膜和生物样本层材料，生物样本层材料介电常数为ε_i；

步骤（5）、利用纳米加工技术首先在载玻片上蒸镀厚度d_m的金属膜；

步骤（6）、固体膜层或者液体膜层的生物样本层涂敷或者滴定在蒸镀厚度d_m的金属膜上，生物样本层的厚度为d_i；

步骤（7）、利用纳米加工技术紧接着在生物样本层上蒸镀厚度d_m的金属膜覆盖层；

步骤（8）、位相型纳米物体的成像记录方式选择近场扫描探针或者光记录材料。

2.根据权利要求1所述的一种位相型物体表面等离子体超分辨成像方法，其特征在于：所述步骤（1）中的可透光的载玻片为硅或二氧化硅。

3.根据权利要求1所述的一种位相型物体表面等离子体超分辨成像方法，其特征在于：所述步骤（1）中的照明光的工作波长365纳米。

4.根据权利要求1所述的一种位相型物体表面等离子体超分辨成像方法，其特征在于：所述步骤（3）中的金属膜材料为能够激发表面等离子体的金属银，介电常数ε_m=-2.4012+0.2488i。

5.根据权利要求1所述的一种位相型物体表面等离子体超分辨成像方法，其特征在于：所述步骤（4）中的位相型纳米物体表面等离子体超分辨成像器件要求双层金属膜的介电常数ε_m和生物样本层的介电常数ε_i对于工作波长λ时满足介电常数匹配（ε_i~-ε_m）。

6.根据权利要求1所述的一种位相型物体表面等离子体超分辨成像方法，其特征在于：所述步骤（5）中的生物样本层的厚度d_i要求10纳米到100纳米。

7.根据权利要求1所述的一种位相型物体表面等离子体超分辨成像方法，其特征在于：所述步骤（6）中的金属膜的厚度d_m要求10纳米到60纳米。

8.根据权利要求1所述的一种位相型物体表面等离子体超分辨成像方法，其特征在于：所述步骤（8）中的位相型纳米物体的成像记录方式要求近场扫描探针或者光记录材料。