[发明专利]一种浅沟槽隔离结构及其制作方法

权利要求书

1.一种浅沟槽隔离结构的制作方法，包括：

a)提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成沟槽；

b)进行湿法刻蚀，以扩大所述沟槽的尺寸；

c)在扩大的沟槽的底部和侧壁上形成掺杂的硅外延层，其中，所述掺杂的硅外延层的表面轮廓为U型，之后进行退火工艺，以使掺杂的硅外延层的表面平滑，降低漏电流；以及

d)在所述扩大的沟槽内填满STI氧化物，以形成浅沟槽隔离结构。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掺杂的硅外延层中的掺杂物包括锗、碳、锡、铅和氮中的至少一种。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述掺杂物的剂量为1×10¹⁵-5×10¹⁵/cm²。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述掺杂的硅外延层中还掺杂有硼。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火工艺的退火时间为30-160分钟，退火温度为900-1200摄氏度。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掺杂的硅外延层的厚度为4-40纳米。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述c)步骤之后还包括在所述掺杂的硅外延层上形成衬垫氧化物层的步骤。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述扩大的沟槽的截面形状为六边形。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的时间为1分钟～30分钟。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀所使用的刻蚀剂为氢氟酸或四甲基氢氧化氨，所述刻蚀剂的浓度为1～5％。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底。

12.一种浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构是采用如权利要求1-11中任一种方法制成的。