[发明专利]有机电激发光显示面板及其制造方法有效
申请号: | 201210322436.3 | 申请日: | 2012-09-03 |
公开(公告)号: | CN102856351A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 张家骏;祝尚杰 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;鲍俊萍 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 机电 激发 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机电激发光显示面板,其特征在于,包括:
一基板;
一多层结构的抗反射层,配置于该基板上,该多层结构的抗反射层具有多个开口;
多个彩色滤光图案,配置于该些开口内;
一像素阵列,配置于该多层结构的抗反射层以及该些彩色滤光图案上,其中该像素阵列包括多个呈阵列排列的第一电极;
多个有机电激发光图案,配置于该些第一电极上;以及
一第二电极,配置于该些有机电激发光图案上。
2.根据权利要求1所述的有机电激发光显示面板,其特征在于,该多层结构的抗反射层包括:
一第一金属层,配置于该基板上;
一相位偏移层;以及
一第二金属层,其中该相位偏移层位于该第一金属层与该第二金属层之间。
3.根据权利要求1所述的有机电激发光显示面板,其特征在于,该多层结构的抗反射层包括:
一金属层,配置于该基板上;
一第一介电层;以及
一第二介电层,其中该第一介电层位于该金属层与该第二介电层之间。
4.根据权利要求1所述的有机电激发光显示面板,其特征在于,该些开口包括多个第一开口、多个第二开口以及多个第三开口,该些彩色滤光图案包括多个第一彩色滤光图案、多个第二彩色滤光图案以及多个第三彩色滤光图案,各该第一彩色滤光图案分别填入其中一个第一开口中,各该第二彩色滤光图案分别填入其中一个第二开口中,而各该第三彩色滤光图案分别填入其中一个第三开口中。
5.根据权利要求4所述的有机电激发光显示面板,其特征在于,该些第一彩色滤光图案为红色滤光图案,该些第二彩色滤光图案为绿色滤光图案,该些第三彩色滤光图案为蓝色滤光图案,各该第一开口小于各该第二开口的尺寸,且各该第二开口的尺寸小于各该第三开口的尺寸。
6.根据权利要求5所述的有机电激发光显示面板,其特征在于,该些有机电激发光图案包括多个红色有机电激发光图案、多个绿色有机电激发光图案以及多个蓝色有机电激发光图案,该些红色有机电激发光图案对应于该些红色滤光图案配置,该些绿色有机电激发光图案对应于该些绿色滤光图案配置,而该些蓝色有机电激发光图案对应于该些蓝色滤光图案配置。
7.根据权利要求1所述的有机电激发光显示面板,其特征在于,该像素阵列更包括:
多条扫描线;
多条数据线;
多个切换晶体管,各该切换晶体管的一栅极分别与对应的扫描线电性连接,各该切换晶体管的一源极分别与对应的数据线电性连接;
多个驱动晶体管,各该驱动晶体管的一栅极分别与对应的切换晶体管的一漏极电性连接,各该驱动晶体管的一漏极分别与对应的第一电极电性连接,而各该驱动晶体管的一源极耦接至一电压源;以及
一电容器,电性耦接于对应的驱动晶体管的源极以及对应的切换晶体管的漏极之间。
8.根据权利要求7所述的有机电激发光显示面板,其特征在于,该多层结构的抗反射层具有至少一层金属层,而各该切换晶体管的源极与该至少一层金属层电性连接。
9.根据权利要求1所述的有机电激发光显示面板,其特征在于,更包括一绝缘层,覆盖于该多层结构的抗反射层上,其中该绝缘层位于该多层结构的抗反射层与该像素阵列之间。
10.一种有机电激发光显示面板的制造方法,其特征在于,包括:
于一基板上形成一多层结构的抗反射层,该多层结构的抗反射层具有多个开口;
于该些开口内形成多个彩色滤光图案;
于该多层结构的抗反射层以及该些彩色滤光图案上形成一像素阵列,其中该像素阵列包括多个呈阵列排列的第一电极;
于该些第一电极上形成多个有机电激发光图案;以及
于该些有机电激发光图案上形成一第二电极。
11.根据权利要求10所述的有机电激发光显示面板的制造方法,其特征在于,形成该多层结构的抗反射层的方法包括:
于该基板上形成一第一金属层;
于该第一金属层上形成一相位偏移层;以及
于该相位偏移层上形成一第二金属层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的