[发明专利]发光元件驱动电路及其相关的像素电路与应用无效

专利信息
申请号: 201210322351.5 申请日: 2012-09-04
公开(公告)号: CN103000126A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 廖文堆;王文俊;韩西容;黄志鸿 申请(专利权)人: 胜华科技股份有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 臧建明
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光 元件 驱动 电路 及其 相关 像素 应用
【权利要求书】:

1.一种发光元件驱动电路,其特征在于,包括:

一驱动单元,耦接于一电源电压与一发光元件之间,且包含一驱动晶体管,用以在一发光阶段,控制流经该发光元件的一驱动电流;

一数据存储单元,耦接该驱动单元,且包含一漂移补偿晶体管以及耦接于该驱动晶体管与一参考电位之间的一储存电容,用以在一数据写入阶段,通过该储存电容以对一数据电压与关联于该漂移补偿晶体管的临界电压进行储存;以及

一发光控制单元,耦接于该驱动单元与该发光元件之间,用以在该发光阶段,传导来自该驱动单元的该驱动电流到该发光元件,

其中,在该发光阶段,该驱动单元反应于该储存电容的跨压而产生流经该发光元件的该驱动电流,且该驱动电流反应于该漂移补偿晶体管的临界电压的储存而不受该驱动晶体管的临界电压的影响。

2.根据权利要求1所述的发光元件驱动电路,其特征在于,该数据存储单元还用以在该数据写入阶段,通过该储存电容来对该电源电压进行储存;

其中,在该发光阶段,反应于该电源电压的储存,该驱动电流还不受该电源电压的影响。

3.根据权利要求2所述的发光元件驱动电路,其特征在于,该驱动晶体管的栅极耦接该储存电容的第一端以及该漂移补偿晶体管的栅极与源极,而该驱动晶体管的源极则耦接至该电源电压;

其中,该数据存储单元还包括:

一写入晶体管,其栅极用以接收一写入扫描信号,其源极用以接收该数据电压,而其漏极则耦接至该储存电容的第二端;

一传输晶体管,其栅极用以接收该写入扫描信号,其源极耦接至该电源电压,而其漏极则耦接至该漂移补偿晶体管的漏极;以及

一耦合晶体管,其栅极用以接收一发光致能信号,其源极耦接该储存电容的第二端,而其漏极则耦接至该参考电位;

其中,该数据存储单元还用以在一复位阶段,反应于一复位扫描信号而初始化该储存电容的第一端电压,且该数据存储单元还包括:

一复位晶体管,其栅极与源极耦接在一起以接收该复位扫描信号,而其漏极则耦接至该储存电容的第一端。

4.根据权利要求3所述的发光元件驱动电路,其特征在于,该发光控制单元包括:

一发光控制晶体管,其栅极用以接收该发光致能信号,而其源极则耦接至该驱动晶体管的漏极;

其中,该发光元件的第一端耦接该发光控制晶体管的漏极,而该发光元件的第二端则耦接至该参考电位;

其中,该驱动晶体管、该漂移补偿晶体管、该写入晶体管、该复位晶体管、该传输晶体管、该耦合晶体管,以及该发光控制晶体管皆为P型晶体管;

其中,该发光元件为一有机发光二极管,且该发光元件的第一端为该有机发光二极管的阳极,而该发光元件的第二端为该有机发光二极管的阴极。

5.根据权利要求4所述的发光元件驱动电路,其特征在于,该发光元件驱动电路为一有机发光二极管驱动电路,且该有机发光二极管驱动电路先后进入该复位阶段、该数据写入阶段以及该发光阶段;

其中,在该复位阶段,该复位扫描信号为致能,而该写入扫描信号与该发光致能信号为禁能;

其中,在该数据写入阶段,该写入扫描信号为致能,而该复位扫描信号与该发光致能信号为禁能;

其中,在该发光阶段,该发光致能信号为致能,而该复位扫描信号与该写入扫描信号为禁能。

6.根据权利要求1所述的发光元件驱动电路,其特征在于,在该发光阶段,反应于与该电源电压相关联的该数据电压,该驱动电流受该电源电压的影响的程度得以被减轻。

7.根据权利要求6所述的发光元件驱动电路,其特征在于,该驱动晶体管的栅极耦接该储存电容的第一端以及该漂移补偿晶体管的栅极与源极,该驱动晶体管的源极耦接至该电源电压,而该储存电容的第二端则耦接至该参考电位;

其中,该数据存储单元还包括:

一写入晶体管,其栅极用以接收一写入扫描信号,其源极用以接收该数据电压,而其漏极则耦接至该漂移补偿晶体管的漏极;

其中,该数据存储单元还用以在一复位阶段,反应于一复位扫描信号而初始化该储存电容的第一端电压,且该数据存储单元还包括:

一复位晶体管,其栅极与源极耦接在一起以接收该复位扫描信号,而其漏极则耦接至该储存电容的第一端。

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