[发明专利]显示面板和显示器无效
申请号: | 201210320729.8 | 申请日: | 2012-08-31 |
公开(公告)号: | CN103000125A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 尾本启介 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32;H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示器 | ||
技术领域
本技术涉及一种包括有机EL(电致发光)器件的显示面板,以及包括这种显示面板的显示器。
背景技术
近年来,在用于执行图像显示的显示器领域中,已开发出使用其发光根据流通的电流值来改变的电流驱动型光学器件(诸如有机EL器件)作为像素发光器件的显示器,且其商品化已在进行(例如,见日本待审查专利申请公开第2011-23240号)。
与液晶器件等不同,有机EL器件是自发光器件。因此,使用有机EL器件的显示器(有机EL显示器)消除了对光源(背光)的需求,从而与包括光源的液晶显示器相比,实现了更高图像可视性、更低功耗和更高器件响应速度。
与液晶显示器相同,有机EL显示器具有简单(无源)矩阵方法和有源矩阵方法作为其驱动方法。前者的缺陷在于尽管结构简单,但其难以实现大尺寸和高清晰显示器。因此,目前已在积极开发有源矩阵方法。该方法使用配置在为每个发光器件制备的驱动电路内的有源器件(通常是TFT(薄膜晶体管))来控制流过为每个像素配置的发光器件的电流。
图18示出了有机EL显示器中典型子像素的截面结构。例如,图18所示的作为底发光结构子像素的子像素100包括电路基板110上的平面层120,其中,诸如TFT的像素电路形成于其上;以及在平面层120上具有有机EL器件130。例如,有机EL器件130从平面层120侧起顺序具有阳极131、有机层132和阴极133。有机层132与阳极131上的阴极133的层叠部分由形成在窗口限定层140上的开口来定义。
发明内容
同时,图18所示子像素包括在电路基板110形成后的大量工艺。这导致了制造成本增加的不利。
期望提供一种确保减少一些电路基板形成后的工艺的显示面板,以及包括这种显示面板的显示器。
根据本公开的实施方式,提供了一种显示面板,其针对每个像素包括有机EL器件和像素电路。像素电路具有用于写入图像信号的第一晶体管和用于基于由第一晶体管写入的图像信号来驱动有机EL器件的第二晶体管,第二晶体管具有栅极、源极和漏极。有机EL器件具有阳极、有机层和阴极。第二晶体管的栅极是透明导电层的单层结构,或者是透明导电层和金属导电层的层叠结构。有机EL器件的阳极具有形成在与透明导电层相同的层上且由与透明导电层相同的材料制成的层。
根据本公开的实施方式,提供了一种显示器,包括:显示面板;以及驱动每个像素的驱动电路。显示面板对于每个像素具有有机EL器件和像素电路。像素电路具有用于写入图像信号的第一晶体管和用于基于由第一晶体管写入的图像信号来驱动有机EL器件的第二晶体管,第二晶体管具有栅极、源极和漏极。有机EL器件具有阳极、有机层和阴极。第二晶体管的栅极是透明导电层的单层结构,或者是透明导电层和金属导电层的层叠结构。有机EL器件的阳极具有形成在与透明导电层相同的层上且由与透明导电层相同的材料制成的层。
在根据本公开实施方式的发光板和显示器中,有机EL器件的阳极上,配置了在与栅极的透明导电层相同的层上形成且由与透明导电层相同的材料制成的层。例如,这允许阳极在其上形成栅极的基板上制成,还允许阳极与栅极一同形成。
根据本公开实施方式的显示面板和显示器允许阳极在其上形成栅极的基板上形成,还允许阳极与栅极一同形成,这使得省去形成平面层或单独形成阳极的步骤成为可能。因此,可以减少电路基板形成后的一些工艺。
需要理解,之前一般描述和以下详细描述均是示例性的,且旨在提供对如权利要求所述的本技术的进一步说明。
附图说明
所包括的附图用于提供对本公开的进一步理解,且结合进本说明书中并构成其一部分。附图示出了实施方式,并与本说明书一起用于说明本技术的原理。
图1是根据本技术实施方式的显示器的示意性框图。
图2是示出图1所示子像素的电路结构的一个实例的示意图。
图3是示出图1所示子像素的截面结构的一个实例的示意图。
图4是用于说明制造图3所示子像素的方法的一个实例的示意图。
图5是用于说明图4工艺之后的一步工艺的示意图。
图6是用于说明图5工艺之后的一步工艺的示意图。
图7是用于说明图6工艺之后的一步工艺的示意图。
图8是用于说明图7工艺之后的一步工艺的示意图。
图9是用于说明图8工艺之后的一步工艺的示意图。
图10是用于说明图9工艺之后的一步工艺的示意图。
图11是示出图3所示子像素的一个变形例的示意图。
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