[发明专利]半导体集成电路和包括半导体集成电路的驱动设备

权利要求书

1.一种半导体集成电路，包括：

第一发送电路，所述第一发送电路用于产生和输出用于反映从外部供应的第一数据信号的第一发送信号；

第一接收电路，所述第一接收电路用于基于第一接收信号来再产生所述第一数据信号；

第一隔离元件，所述第一隔离元件用于将所述第一发送电路与所述第一接收电路隔离，并且发送作为所述第一接收信号的所述第一发送信号；

异常检测部，所述异常检测部用于检测能够在经由所述第一隔离元件的信号发送中引起故障的异常；以及

控制部，在通过所述异常检测部检测到异常时，所述控制部输出停止信号，而与从外部向所述第一发送电路供应的所述第一数据信号无关。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路，进一步包括：

栅极驱动器，所述栅极驱动器用于基于由所述第一接收电路再产生的所述第一数据信号来输出栅极控制信号，所述栅极控制信号用于控制输出晶体管的导通/截止操作，所述输出晶体管用于控制流过负载的电流；

其中，在通过所述异常检测部检测到异常时，所述控制部通过输出所述停止信号来截止所述输出晶体管。

3.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中，所述异常检测部包括脉冲宽度检测电路，如果在由所述第一接收电路再产生的所述第一数据信号中的逻辑值改变之间的间隔变得大于预定间隔，则所述脉冲宽度检测电路检测到所述异常。

4.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中，所述异常检测部包括共模噪声检测电路，如果共模噪声超过预定阈值范围，则所述共模噪声检测电路检测到所述异常。

5.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中，所述第一隔离元件由变压器构成。

6.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中，所述第一隔离元件由GMR元件隔离器构成。

7.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中，所述第一隔离元件由电容器构成。

8.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中，所述第一隔离元件由光耦合器构成。

9.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中，所述第一隔离元件包括线圈，以及

其中，所述异常检测部包括磁场改变检测电路，如果响应于磁场改变而在所述线圈中感应的电动势超过预定阈值范围，则所述磁场改变检测电路检测到所述异常。

10.根据权利要求9所述的半导体集成电路，其中，所述第一隔离元件由变压器构成。

11.根据权利要求9所述的半导体集成电路，其中，所述第一隔离元件由GMR元件隔离器构成。

12.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中，所述第一发送电路被安装在由第一电源驱动的第一半导体芯片上，

其中，所述第一接收电路被安装在由第二电源驱动的第二半导体芯片上，以及

其中，所述异常检测部和所述控制部与所述第一接收电路一起被安装在所述第二半导体芯片上。

13.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中，所述第一发送电路被安装在由第一电源驱动的第一半导体芯片上，

其中，所述第一接收电路被安装在由第二电源驱动的第二半导体芯片上，以及

其中，所述异常检测部和所述控制部与所述第一发送电路一起被安装在所述第一半导体芯片上。

14.根据权利要求13所述的半导体集成电路，其中，所述异常检测部包括通电复位电路，如果在所述第一电源开始向所述第一半导体芯片供应电源电压后还没有过去预定时间段，则所述通电复位电路检测到所述异常。

15.根据权利要求13所述的半导体集成电路，其中，所述异常检测部包括低电压检测电路，如果从所述第一电源向所述第一半导体芯片供应的电源电压低于预定阈值电压，则所述低电压检测电路检测到所述异常。

16.根据权利要求13所述的半导体集成电路，其中，所述异常检测部包括电源噪声检测电路，如果在从所述第一电源向所述第一半导体芯片供应的电源电压中的噪声超过预定阈值范围，则所述电源噪声检测电路检测到所述异常。