[发明专利]一种光场探测元件无效
| 申请号： | 201210320312.1 | 申请日： | 2012-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN103680607A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 王辉;俞崇祺;黄旭 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G11C13/04 | 分类号： | G11C13/04;H01L31/08 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 探测 元件 | ||
1.一种光场探测元件，其特征在于，包括：
半导体衬底；
形成于所述半导体衬底上的氧化物层；
形成在所述氧化物层上的金属薄膜层；
分别设置在所述金属薄膜层两端的第一电极和第二电极；
分别与所述第一电极和第二电极连接的第一电极引线和第二电极引线。
2.根据权利要求1所述的光场探测元件，其特征在于：所述金属薄膜层的厚度为1nm~50nm。
3.根据权利要求2所述的光场探测元件，其特征在于：所述金属薄膜层的厚度范围为4.0nm~9.0nm。
4.根据权利要求1、2或3所述的光场探测元件，其特征在于：所述金属薄膜层包括单一金属或金属合金。
5.根据权利要求4所述的光场探测元件，其特征在于：所述单一金属为Ti、Co或Cu。
6.根据权利要求1所述的光场探测元件，其特征在于：所述氧化物层为氧化物半导体层或金属氧化物层。
7.根据权利要求6所述的光场探测元件，其特征在于：所述氧化物半导体层为SiO2氧化物层或NiO氧化物层；所述金属氧化物层为TiO2氧化物层。
8.根据权利要求1、6或7所述的光场探测元件，其特征在于：所述氧化物层的厚度范围为0.1nm~138nm。
9.根据权利要求8所述的光场探测元件，其特征在于：所述氧化物层的厚度范围为1.0nm~1.5nm。
10.根据权利要求1所述的光场探测元件，其特征在于：所述的第一电极和第二电极采用金、银、铝、铜、铂、铟或锡金金属材料，制成一个点或是一条线。
11.根据权利要求1所述的光场探测元件，其特征在于：还包括形成在所述金属薄膜层上的挡光层，所述挡光层的一端设有透光孔。
12.一种根据权利要求1至11任一项所述的光场探测元件的应用，其特征在于，用于制备光控二极管。
13.一种根据权利要求1至11任一项所述的光场探测元件的应用，其特征在于，用于制备光控变阻器。
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