[发明专利]OLED的增透结构有效

专利信息
申请号: 201210320027.X 申请日: 2012-08-31
公开(公告)号: CN102820433A 公开(公告)日: 2012-12-12
发明(设计)人: 陈红;邱勇;黄秀颀 申请(专利权)人: 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人: 孙皓晨
地址: 215300 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: oled 结构
【权利要求书】:

1.一种OLED的增透结构,在所述OLED的阳极上依次覆盖着功能层、阴极材料层与覆盖层,其特征在于:在所述阴极材料层与所述覆盖层之间增加具有导电性的增透层,所述阴极材料层的折射率为c,所述覆盖层的折射率为a,而所述增透层的折射率b满足:c>b>a,或者c<b<a。

2.根据权利要求1所述的OLED的增透结构,其特征在于:

所述覆盖层是选择Alq3、Liq、有机发光层材料、LiF、ZnSe中的任意一个材料构成的单层结构,或是选择其中任意至少两个材料构成的叠层结构;

所述阴极材料层的材料是Al、Ag、ITO、IZO、AZO、Mg:Ag或石墨烯;

所述增透层的材料是Al、Ag、ITO、IZO或AZO。

3.根据权利要求1所述的OLED的增透结构,其特征在于:所述增透层是复合结构的材料或者纳米结构的材料,且其等效折射率b’介于a与c之间。

4.一种OLED的增透结构,在所述OLED的阳极上依次覆盖着功能层与阴极材料层,其特征在于:在所述阴极材料层与所述功能层之间增加具有导电特性的增透层,所述增透层的功函数小于4eV,所述功能层中与所述增透层最贴近的一层材料的折射率为d,而所述增透层的折射率b满足:c>b>d,或者c<b<d。

5.根据权利要求4所述的OLED的增透结构,其特征在于:

所述功能层中与所述增透层最贴近的一层材料是选择LiF、CsF、Liq、K、Mg、Ca中的一个;

所述阴极材料层的材料是Al、Ag、ITO、IZO、AZO、Mg:Ag或石墨烯;

所述增透层的材料是Al、Ag、ITO、IZO、AZO或石墨烯。

6.根据权利要求4所述的OLED的增透结构,其特征在于:所述增透层是复合结构的材料或者纳米结构的材料,且其等效折射率b’介于c与d之间。

7.一种OLED的增透结构,在所述OLED的阴极下方依次覆盖着功能层与阳极材料层,其特征在于:在所述阳极材料层与所述功能层之间添加有具有导电特性的增透层,所述增透层的功函数大于4.5eV,所述阳极材料层的折射率为e,所述功能层中最贴近所述增透层的一层材料的折射率为f,所述增透层的折射率b满足:e>b>f,或者e<b<f。

8.根据权利要求7所述的OLED的增透结构,其特征在于:

所述功能层中与所述增透层最贴近的一层材料是NPB、TPD、m-MTDATA中的一种;

所述阳极材料层的材料是Al、Ag、ITO、IZO、AZO或石墨烯;

所述增透层的材料是Al、Ag、ITO、IZO、AZO或石墨烯。

9.根据权利要求7所述的OLED的增透结构,其特征在于:所述增透层是复合结构的材料或者纳米结构的材料,且其等效折射率b’介于e与f之间。

10.一种OLED的增透结构,在所述OLED的阴极下方依次覆盖着功能层与阳极材料层,其特征在于:在所述阳极材料层下方添加有具有导电特性的增透层,所述阳极材料层的折射率为e,所述功能层中最贴近所述阳极材料层的一层材料的折射率为f,所述增透层的折射率b满足:f>e>b,或者f<e<b。

11.根据权利要求10所述的OLED的增透结构,其特征在于:

所述功能层中最贴近所述阳极材料层的一层材料是NPB、TPD、m-MTDATA中的一种;

所述阳极材料层的材料是Al、Ag、ITO、IZO、AZO或石墨烯;

所述增透层的材料是Al、Ag、ITO、IZO、AZO或石墨烯。

12.根据权利要求10所述的OLED的增透结构,其特征在于:所述增透层是复合结构的材料或者纳米结构的材料,且其等效折射率b’满足:f>e>b’或者f<e<b’。

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