[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子注入层及阴极，其特征在于，所述有机电致发光器件还包括形成于所述发光层及所述电子注入层之间的量子阱层，所述量子阱层包括依次层叠的至少两层金属化合物层及设置于相邻的两层金属化合物层之间的电子传输层，所述金属化合物层的材料选自氧化锌、二氧化钛、硫化锌及硫化镉中的至少一种，所述电子传输层的材料包括主体材料及掺杂在所述主体材料中的掺杂材料，所述主体材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑，所述掺杂材料选自2-(4′-叔丁苯基)-5-(4′-联苯基)-1,3,4-恶二唑、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉及2,2′-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑]中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属化合物层的厚度为2nm～40nm，所述电子传输层的厚度为2nm～40nm。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的层数为大于等于1且小于等于5的整数。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层中所述掺杂材料的质量百分含量为5%～20%。

5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材料选自4-（二腈亚甲叉）-2-甲基-6-（4-二甲胺基-苯乙烯）-4H-吡喃、[4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯]、双[9-乙基-3,3’-(1,4-苯基二-2,1-乙烯基)-H-咔唑及八羟基喹啉铝中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料选自1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺及N,N’-（1-萘基）-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺中的至少一种。

7.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在阳极表面依次形成空穴注入层、空穴传输层及发光层；

在所述发光层表面蒸镀形成量子阱层，所述量子阱层包括依次层叠的至少两层金属化合物层及设置于相邻的两层金属化合物层之间的电子传输层，所述金属化合物层的材料选自氧化锌、二氧化钛、硫化锌及硫化镉中的至少一种，所述电子传输层的材料包括主体材料及掺杂在所述主体材料中的掺杂材料，所述主体材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑，所述掺杂材料选自2-(4′-叔丁苯基)-5-(4′-联苯基)-1,3,4-恶二唑、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉及2,2′-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑]中的至少一种；及

在所述量子阱层表面依次形成电子注入层及阴极。

8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述电子传输层的层数为大于等于1且小于等于5的整数。

9.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述金属化合物层的厚度为2nm～40nm，所述电子传输层的厚度为2nm～40nm。

10.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述电子传输层中所述掺杂材料的质量百分含量为5%～20%。