[发明专利]一种降冰片烯共聚物改性的聚烯烃基太阳电池背膜及其加工工艺有效
| 申请号: | 201210319483.2 | 申请日: | 2012-08-31 |
| 公开(公告)号: | CN102800725A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
| 发明(设计)人: | 林建伟;夏文进;张育政;王志 | 申请(专利权)人: | 苏州中来光伏新材股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/18;B32B27/32 |
| 代理公司: | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人: | 林建军 |
| 地址: | 215542 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 冰片 共聚物 改性 烯烃 太阳电池 及其 加工 工艺 | ||
技术领域
本发明涉及太阳电池背膜领域,特别涉及一种降冰片烯共聚物改性的聚烯烃基太阳电池背膜。同时还涉及一种该太阳电池背膜的加工工艺。
背景技术
太阳电池背膜是太阳电池不可或缺的组成部分,背膜是电池背面的保护材料,用于支撑、固定太阳电池,并起到保护太阳电池组件的作用。由于电池背膜位于太阳电池组件的背面的最外层,在长期的户外使用中容易脆化,不能有效的保护太阳电池组件长期使用。制作背膜的材料需要具有良好的硬度,否则在太阳电池组件生产过程中容易造成褶皱等问题,造成组件的缺陷或失效。同时,还要求背膜具有良好的抗环境侵蚀能力,具有耐湿热老化性,耐撕裂,耐水解性,耐腐蚀性能,以及持续抵御光照射的能力。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于克服上述现有技术的不足,提供一种具有耐湿热老化,耐撕裂,耐水解,高的水蒸气阻隔性、高绝缘性能,高强度、尺寸稳定,易加工成型的降冰片烯共聚物太阳电池背膜,有利于保护太阳电池组件,延长太阳电池的使用寿命。
本发明所要解决的另一技术问题在于提供一种降冰片烯共聚物改性的聚烯烃基太阳电池背膜的加工工艺,该加工工艺方法简单便捷。
根据本发明提供的一种降冰片烯共聚物改性的聚烯烃基太阳电池背膜的主要技术方案为:所述背膜包括由PET、或降冰片烯共聚物、或PP组成的基层,位于所述基层上表面的基于降冰片烯共聚物和偏二氟乙烯–丙烯酸共聚物的共熔物所构成的表层,位于所述基层下表面的基于降冰片烯共聚物和EVA的共熔物所构成的底层。
本发明提供的一种降冰片烯共聚物改性的聚烯烃基太阳电池背膜还采用如下附属技术方案:
所述降冰片烯共聚物指的是降冰片烯和烯烃化合物、或降冰片烯和丙烯酸酯共聚合而形成的共聚物。
所述烯烃化合物选自乙烯、丙烯、丁烯、丁二烯、异戊二烯或辛烯中的一种或几种。
所述丙烯酸酯选自丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、2-甲基丙烯酸甲酯或2-甲基丙烯酸乙酯中的一种或几种。
所述降冰片烯共聚物是经过有机硅偶联剂处理的。
所述有机硅偶联剂选自Y(CH2)nSiX3,n为0~3,Y为乙烯基、烯丙基、氨基、环氧基、甲基丙烯酰氧基、巯基或脲基有机官能团,X是氯基、甲氧基、乙氧基、甲氧基乙氧基或乙酰氧基。
所述基层的厚度为0.1mm-10mm,所述表层的厚度为0.005mm-0.10mm,所述底层的厚度为0.005mm-0.10mm。
所述降冰片烯共聚物和偏二氟乙烯–丙烯酸共聚物的重量比为1:1-1.5:1,所述降冰片烯共聚物和EVA的重量比为1.5:1-2.2:1。
本发明还提供了一种降冰片烯共聚物改性的聚烯烃基太阳电池背膜的加工工艺,主要包括以下步骤:
(1)将降冰片烯共聚物和偏二氟乙烯–丙烯酸共聚物共熔形成共熔物;
(2)将降冰片烯共聚物和EVA共熔形成共熔物;
(3)将步骤(1)中的共熔物涂敷在由PET、或降冰片烯共聚物、或PP组成的基层的上表面形成表层,将步骤(2)中的共熔物涂敷在由PET、或降冰片烯共聚物、或PP组成的基层的下表面形成底层。
本发明还提供了一种降冰片烯共聚物改性的聚烯烃基太阳电池背膜的加工工艺,主要包括以下步骤:
(1)将降冰片烯共聚物和偏二氟乙烯–丙烯酸共聚物的共熔物作为表层;
(2)将降冰片烯共聚物和EVA的共熔物作为底层;
(3)在180℃-240℃条件下,将所述表层、由PET、或降冰片烯共聚物、或PP组成的基层、以及所述底层进行三元共挤,形成所述背膜。
根据本发明提供的一种降冰片烯共聚物改性的聚烯烃基太阳电池背膜及其加工工艺,具有以下突出的优点:
(1)采用降冰片烯共聚物作为背膜的原料,使得背膜具有耐湿热老化,耐撕裂,高的水蒸气阻隔性,尺寸稳定性能;
(2)通过本发明的加工工艺制备的太阳电池背膜各层的粘结性好,且这种工艺可实现连续化生产,提高了生产效率,降低了成本。
附图说明:
图1是本发明的一种实施例的结构示意图。
具体实施方式:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州中来光伏新材股份有限公司,未经苏州中来光伏新材股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210319483.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





