[发明专利]半导体集成电路、保护电路以及电池组有效

专利信息
申请号: 201210319456.5 申请日: 2012-08-29
公开(公告)号: CN102969698A 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 田中秀宪 申请(专利权)人: 三美电机株式会社
主分类号: H02H7/18 分类号: H02H7/18;H02J7/00
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 曾贤伟;韩香花
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 集成电路 保护 电路 以及 电池组
【说明书】:

技术领域

本发明涉及具有调节器的半导体集成电路、保护电路以及电池组。

背景技术

近年来,使用能够充放电的蓄电池驱动的便携设备正在普及。蓄电池有时作为具有保护电路的电池组装载。在该保护电路内,有具有保护蓄电池不致过充电或者过放电的功能、或者进行电池余量的管理等的电池监视功能等的单元。

图1是表示现有的保护电路的例子的图。图1表示的保护电路10具有保护IC11、电池监视IC12、开关晶体管M1、和开关晶体管M2。另外,保护电路10具有端子B+、端子B-、端子P+、端子P-,在端子B+和端子B-之间连接蓄电池B1,在端子P+和端子P-之间连接充电器或者负荷(未图示)。保护IC11和电池监视IC12可通信地连接。

保护IC11通过从蓄电池B1供给的电压VDD驱动。另外,保护IC11的基板是N型基板。保护IC11,当从VDD-VSS端子间电压检测出蓄电池B1的过充电时,从端子COUT输出使晶体管M1关断的控制信号,使停止充电。另外,保护IC11,当从VDD-VSS端子间电压检测出蓄电池B1的过放电时,从端子COUT输出使晶体管M2关断的控制信号,使停止放电。

电池监视IC12,把通过保护IC11具有的调节器从电压VDD生成的电压作为电源,监视蓄电池B1的状态。所谓蓄电池B1的状态,例如是电池余量或者在蓄电池B1中发生的异常的履历等。

图2是表示现有的保护IC的例子的图。保护IC11具有基准电压生成电路13、比较器14、逻辑电路15、调节器16、电阻R1、电阻R2。

电阻R1和电阻R2分压VSS-VDD间电压。比较器14比较分压后的VSS-VDD间电压、和通过基准电压生成电路13生成的基准电压,向逻辑电路15输出其结果。逻辑电路15遵照比较器14的输出检测过充电或者过放电,从端子COUT以及端子DOUT输出控制信号。

另外用基准电压生成电路13生成的基准电压供给调节器16。调节器16具有放大器17、电阻R3、电阻R4。从基准电压生成电路13输出的基准电压供给放大器17的一方的输入。在放大器17的另一方的输入上供给放大器17的输出。放大器17的输出,通过电阻R3和电阻R4分压,作为调节器16的输出。

但是,在充电蓄电池B1的情况下,在端子P+和端子P-之间连接充电器。在蓄电池B1充电时,有充电器和蓄电池B1极性相反连接的可能性。以下把该状态称为充电器反接状态。当成为充电器反接状态时,在蓄电池B1的负极侧过大施加电压,成为蓄电池B1的异常状态。因此,历来在防止发生充电器反接状态方面下功夫。

例如在专利文献1中,记载有当检测出充电器反接状态时停止对于蓄电池充电的技术。

专利文献1:日本特开2009-247100号公报

例如在图1表示的保护电路中发生充电器反接状态的情况下,因为端子P-的电压上升,保护IC11检测出放电过电流或者短路,使晶体管M2关断。但是因为保护IC11的基板是电压是VDD的N型基板,当通过充电器反接状态各端子的电压变得比VDD高时,寄生晶体管动作,在内部电路内产生漏电流。通过该漏电流,调节器16的输出电压升高,有损坏作为调节器16的输出电压的供给目的地的电池监视IC12的可能性。

发明内容

本发明鉴于上述事情为解决该问题做出,其目的在于提供一种半导体集成电路、保护电路以及电池组,其即使在发生漏电流的情况下也能够稳定地保持调节器的输出电压。

为实现上述目的,本发明采用如下的结构。

本发明是具有调节器(115)的半导体集成电路(110),具有:

检测该半导体集成电路(110)内的漏电流的发生,输出检测结果的泄漏检测单元(130);

根据上述泄漏检测单元(130)的输出,控制导通/关断的开关(S1);和

用于在通过上述泄漏检测单元(130)检测出上述漏电流时,经由上述开关(S1)与上述调节器(115)的输出端子(VREGOUT)连接,使上述调节器(115)的输出电压降低分下拉电阻(R50)。

本发明是进行蓄电池(B1)的保护的半导体集成电路(110),具有:

输出用于控制放电控制用开关(M20)以及充电控制用开关(M10)的导通/关断的信号的控制单元;

生成向其他半导体集成电路(120)供给的电压的调节器(115);

检测该半导体集成电路(110)内的漏电流的发生,输出检测结果的泄漏检测单元(130);

根据上述泄漏检测单元(130)的输出,控制导通/关断的开关(S1);和

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三美电机株式会社,未经三美电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210319456.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top