[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1. 一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体衬底，具有主表面；

电极，在所述主表面上的元件区域内设置；

金属布线，设置于所述主表面上，一端和所述电极连接；

电极垫，在所述主表面上的元件区域外设置，和所述金属布线分离；

空隙形成膜，以在和所述主表面的一部分之间形成内包所述金属布线的一端和所述电极并具有开口部的空隙的方式在所述主表面上设置；

已固化的树脂，阻塞所述开口部，覆盖所述金属布线的另一端，而不覆盖所述电极垫；

拒液膜，在所述空隙的内表面设置，具有使液状状态的所述树脂的接触角比所述半导体衬底及所述空隙形成膜大的物性；以及

金属膜，经由在已固化的所述树脂设置的开口，连接所述金属布线和所述电极垫，

所述金属布线的另一端，不从所述树脂露出。

2. 如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述金属膜完全覆盖所述开口部的正上方。

3. 如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：

所述金属膜为空气桥金属布线。

4. 一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体衬底，具有主表面；

电极，在所述主表面上的元件区域内设置；

金属布线，设置于所述主表面上，一端和所述电极连接；

电极垫，在所述主表面上的元件区域外设置，和所述金属布线分离；

空隙形成膜，以在和所述主表面的一部分之间形成内包所述金属布线的一端和所述电极并具有开口部的空隙的方式在所述主表面上设置；

已固化的树脂，阻塞所述开口部，覆盖所述金属布线的另一端，而不覆盖所述电极垫；

拒液膜，在所述空隙的内表面设置，具有使液状状态的所述树脂的接触角比所述半导体衬底及所述空隙形成膜大的物性；以及

导电层，设置于所述半导体衬底内部，连接所述金属布线和所述电极垫，

所述金属布线的另一端，不从所述树脂露出。

5. 如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：

所述导电层是添加了杂质的半导体层。

6. 如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：

所述导电层是埋入所述半导体衬底内部的金属层。

7. 一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体衬底，具有彼此相向的主表面和背面；

第一及第二电极，在所述主表面上的元件区域内设置，彼此分离；

空隙形成金属膜，以在和所述主表面的一部分之间形成内包所述第一电极并具有开口部的空隙的方式在所述主表面上设置，和所述第二电极接合；

已固化的树脂，阻塞所述开口部；

拒液膜，在所述空隙的内表面设置，具有使液状状态的所述树脂的接触角比所述半导体衬底及所述空隙形成金属膜大的物性；

第一金属膜，和所述空隙形成金属膜接合，覆盖所述空隙形成金属膜及所述树脂，在位于所述元件区域的外周的外周区域和所述半导体衬底接合；以及

第二金属膜，在所述半导体衬底的所述背面设置，经由贯通所述半导体衬底的通孔和所述第一电极连接。

8. 如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，进而具备：

欧姆金属层，在所述主表面的所述外周区域设置，和所述半导体衬底欧姆接合，

所述第一金属膜经由所述欧姆金属层和所述半导体衬底接合。

9. 如权利要求7或8所述的半导体装置，其特征在于：

在所述元件区域和所述外周区域之间的区域，所述第一金属膜和所述半导体衬底也接合。

10. 如权利要求7或8所述的半导体装置，其特征在于，进而具备：

第三金属膜，在所述主表面上，在第一金属膜的外侧设置，经由贯通所述半导体衬底的通孔和所述第二金属膜连接。

11. 如权利要求7或8所述的半导体装置，其特征在于，进而具备：

第三金属膜，在所述背面设置，经由贯通所述半导体衬底的通孔和所述空隙形成金属膜连接。

12. 一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备以下工序：

在半导体衬底的主表面上的元件区域内形成电极；

在所述主表面上形成一端和所述电极连接的金属布线；

在所述主表面上的元件区域外，形成和所述金属布线分离的电极垫；

以在和所述主表面的一部分之间形成内包所述金属布线的一端和所述电极并具有开口部的空隙的方式在所述主表面上形成空隙形成膜；

用液状状态的树脂，阻塞所述开口部，覆盖所述金属布线的另一端，使所述树脂固化；

在形成所述树脂之前，在所述空隙的内表面形成拒液膜，该拒液膜具有使液状状态的所述树脂的接触角比所述半导体衬底及所述空隙形成膜大的物性；

在已固化的所述树脂形成开口；

形成金属膜，该金属膜经由所述开口而连接所述金属布线的另一端和所述电极垫，

所述金属布线的另一端，不从所述树脂露出。