[发明专利]一种集成可调热敏电阻的自反馈线性恒流器

权利要求书

1.一种集成可调热敏电阻的自反馈线性恒流器，包括P+衬底（2）、P+衬底（2）正面的N-外延层（3）和P+衬底（2）背面的金属化阴极（1）；N-外延层（3）中的具有彼此之间相互独立的N-阱区（5）、P+环（4）和P+电阻阱区（9），其中P+环（4）包围着N-阱区（5）和P+电阻阱区（9）；N-阱区（5）中的具有彼此之间相互独立的N+源区（8）、N+漏区（6）和P+栅区（7）；P+环（4）和P+栅区（7）通过第三金属电极（15）相连接，N+漏区（6）表面与第一金属电极（13）相连；P+电阻阱区（9）中具有可调热敏电阻（10），可调热敏电阻（10）的一端与N+源区（8）之间通过第二金属电极（14）相连接，可调热敏电阻（10）的另一端与P+栅区（7）之间通过第三金属电极（15）相连接；N-外延层（3）表面覆盖有氧化层（12）。

2.一种集成可调热敏电阻的自反馈线性恒流器，包括N+衬底（2）、N+衬底（2）正面的P-外延层（3）和N+衬底（2）背面的金属化阴极（1）；P-外延层（3）中的具有彼此之间相互独立的P-阱区（5）、N+环（4）和N+电阻阱区（9），其中N+环（4）包围着P-阱区（5）和N+电阻阱区（9）；P-阱区（5）中的具有彼此之间相互独立的P+源区（8）、P+漏区（6）和N+栅区（7）；N+环（4）和N+栅区（7）通过第三金属电极（15）相连接，P+漏区（6）表面与第一金属电极（13）相连；N+电阻阱区（9）中具有可调热敏电阻（10），可调热敏电阻（10）的一端与P+源区（8）之间通过第二金属电极（14）相连接，可调热敏电阻（10）的另一端与N+栅区（7）之间通过第三金属电极（15）相连接；P-外延层（3）表面覆盖有氧化层（12）。

3.根据权利要求1所述的集成可调热敏电阻的自反馈线性恒流器，其特征在于，所述可调热敏电阻（10）为N型阱电阻。

4.根据权利要求2所述的集成可调热敏电阻的自反馈线性恒流器，其特征在于，所述可调热敏电阻（10）为P型阱电阻。

5.根据权利要求1或2所述的集成可调热敏电阻的自反馈线性恒流器，其特征在于，所述可调热敏电阻（10）为多晶硅电阻或金属薄膜。

6.根据权利要求3所述的集成可调热敏电阻的自反馈线性恒流器，其特征在于，所述N型阱电阻由多个N型阱电阻并联与两端的金属电极（17和19）之间；通过激光切断多个N型阱电阻中的任意个N型阱电阻与两端的金属电极（17和19）之间的连接，可获得不同的阻值。

7.根据权利要求4所述的集成可调热敏电阻的自反馈线性恒流器，其特征在于，所述P型阱电阻由多个P型阱电阻并联与两端的金属电极（17和19）之间；通过激光切断多个P型阱电阻中的任意个P型阱电阻与两端的金属电极（17和19）之间的连接，可获得不同的阻值。

8.根据权利要求5所述的集成可调热敏电阻的自反馈线性恒流器，其特征在于，所述多晶硅电阻由多晶硅薄膜与两端的金属电极（21）连接而成，通过激光切割多晶硅薄膜的方式可获得不同的阻值。

9.根据权利要求5所述的集成可调热敏电阻的自反馈线性恒流器，其特征在于，所述金属薄膜由金属薄膜与两端的金属电极（21）连接而成，通过激光切割金属薄膜的方式可获得不同的阻值。