[发明专利]具有改进的硅化物厚度均匀性的金属氧化物半导体场效应晶体管集成电路和其制造方法

权利要求书

1.一种在具有主动区和开放区的硅基板上制造集成电路器件的方法，包括：

在所述开放区和所述主动区上方沉积金属层；

转移所述金属层的至少一部分进入到所述开放区和所述主动区的个别表面内以在所述主动和所述开放区中产生硅化物层；

通过暴露所述基板于预定的升高温度一段预定的时间来控制所述硅化物层的穿透深度于均匀的厚度，留下一些多余金属在至少所述开放区的所述表面上；以及

从所述开放区的所述表面移除所述多余金属。

2.根据权利要求1所述的方法，其中沉积金属层包括沉积镍层。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在沉积所述金属层前图案化在所述主动区中的微电子结构；以及

其中沉积所述金属层包括沉积所述金属层于所述微电子结构的顶表面上。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述微电子结构的至少一者包括栅极电极。

5.根据权利要求4所述的方法，其中转移包括在所述主动和所述开放区域中产生均质的硅化镍层。

6.根据权利要求3所述的方法，其中图案化微电子结构包括图案化大高宽比结构。

7.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述金属层包括沉积厚度范围约200A的镍层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述金属层包括通过化学气相沉积来沉积镍。

9.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述金属层包括通过等离子体增强化学气相沉积来沉积镍。

10.根据权利要求2所述的方法，其中沉积所述金属层包括通过物理气相沉积来沉积镍。

11.根据权利要求2所述的方法，其中所述硅基板包括SiGe。

12.根据权利要求11所述的方法，其中转移包括所述镍进入到所述SiGe的热迁移。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述热迁移过程包括快速热退火。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述快速热退火包括在约摄氏240到320度的温度范围退火所述基板约30秒。

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述快速热退火步骤包括在约摄氏300度的温度退火所述半导体基板。

16.根据权利要求15所述的方法，其中：

沉积所述金属层包括沉积厚度范围约200A的镍层；以及

控制包括控制所述硅化镍层的穿透深度于范围约100A的厚度。

17.根据权利要求15所述的方法，其中控制包括横跨所述主动和所述开放区域产生范围约100nm的均匀厚度的连续均质硅化镍层，所述硅化镍层实质上无点状NiSi型的孔。

18.根据权利要求1所述的方法，其中移除包括从所述开放区移除未反应的镍。

19.一种在具有主动区和开放区的硅基板上制造集成电路器件的方法，包括：

在所述主动区上图案化微电子结构；

在所述主动和所述开放区上沉积厚度约200A的镍原子层；

迁移所述镍原子进入到所述开放区和所述主动区的个别表面内以产生硅化镍层；

通过在约300℃退火所述基板约30秒来控制所述硅化镍层的穿透深度于约100A的均匀厚度；

留下一些未反应的镍原子在所述开放区的所述表面上；以及

从所述开放区的所述表面移除所述未反应的镍原子。

20.一种金属氧化物半导体场效应晶体管器件，包括：

具有主动区和开放区的硅锗半导体基板；

具有界定在所述主动区上已图案化的隔离区的侧壁的多个栅极电极；以及

延伸到包含所述隔离区的所述主动和所述开放区中于范围约100A的均匀穿透深度的硅化镍层；

其中所述硅化物层是实质上均质且实质上无点状NiSi型的孔。