[发明专利]半导体装置用接合线

权利要求书

1.一种半导体装置用接合线，具有：

以铜为主成分的芯材；和

设置在所述芯材上的含有成分和组成的某一方或两方与所述芯材不同的金属M和铜的外层，

其特征在于，

所述外层其厚度为0.021~0.12μm，

所述金属M为Pd，所述外层为含有50mol%以上的Pd的部位。

2.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，

所述外层含有选自Bi、P、Se和Tl中的一种以上的元素，在所述外层的最表面的该元素浓度总计为0.01～5mol%的范围。

3.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，

在所述外层与所述芯材之间具有扩散层。

4.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述金属M相对于金属元素的总计的浓度为10mol%以上的区域的厚度为0.03~0.2μm。

5.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，在所述外层内，所述金属M相对于金属元素的总计的浓度总计为90mol%以上的区域的厚度为0.004~0.07μm。

6.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，在所述外层内，所述金属M相对于金属元素的总计的浓度总计为96mol%以上的区域的厚度为0.002~0.06μm。

7.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述外层的最表面的相对于金属元素的总计的铜浓度为0.5~45mol%。

8.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，在所述外层内，相对于金属元素的总计的铜浓度为1~30mol%的范围的区域的厚度为0.0005~0.008μm。

9.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，在线整体中所占的、铜以外的所述金属M相对于金属元素的总计的浓度总计为0.05~3mol%的范围。

10.一种半导体装置用接合线，具有：

以铜为主成分的芯材；和

设置在所述芯材上的含有成分和组成的某一方或两方与所述芯材不同的金属M和铜的外层，

其特征在于，

所述外层其厚度为0.021~0.12μm，

以相对于金属系元素与碳、氧和氮的各元素的总计的浓度进行比较，所述外层的最表面的碳浓度为15~80mol%的范围，从表面沿深度方向碳浓度为5~80mol%的范围的区域的厚度为0.0004~0.01μm。

11.根据权利要求10所述的半导体装置用接合线，其特征在于，

构成所述外层的金属M以选自Au、Pd、Pt和Rh中的一种以上为主成分。

12.根据权利要求10所述的半导体装置用接合线，其特征在于，

所述以铜为主成分的芯材含有选自P、B、Ir、Zr、Bi、Ti、Au、Ag、Sn和稀土类元素中的一种以上的元素，该元素在线整体中所占的浓度总计为0.0001~0.03mol%的范围。

13.根据权利要求10所述的半导体装置用接合线，其特征在于，

所述外层含有选自Bi、P、Se和Tl中的一种以上的元素，在所述外层的最表面的该元素浓度总计为0.01～5mol%的范围。

14.根据权利要求10所述的半导体装置用接合线，其特征在于，

在所述外层与所述芯材之间具有扩散层。

15.根据权利要求10所述的半导体装置用接合线，其特征在于，

以相对于金属系元素与碳、氧和氮的各元素的总计的浓度进行比较，所述外层的最表面的氧浓度为1~25mol%的范围，在该外层的表面氧浓度为0.2~25mol%的范围的区域的厚度为0.0005~0.007μm的范围。

16.根据权利要求10所述的半导体装置用接合线，其特征在于，

所述金属M相对于金属系元素的总计的浓度为10mol%以上的区域的厚度为0.03~0.2μm。

17.根据权利要求10所述的半导体装置用接合线，其特征在于，

在所述外层内，所述金属M相对于金属系元素的总计的浓度总计为90mol%以上的区域的厚度为0.004~0.07μm。