[发明专利]测试键结构以及晶圆测试方法有效
| 申请号： | 201210313099.1 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102800658A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 吴亚贞;楼颖颖;刘宪周;李秀莹 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 测试 结构 以及 方法 | ||
1.一种用于金属等离子体刻蚀电荷损害测试的测试键结构，其特征在于包括：底层硅、布置在所述底层硅上的氧化物层、布置在所述氧化物层上的多晶硅层、布置在所述多晶硅层上的氮化硅层、布置在所述氮化硅层上的正硅酸乙酯层、布置在所述正硅酸乙酯层上的金属层；
其中，所述底层硅中形成了保护环注入区；并且其中，所述测试键结构还包括贯穿所述底层硅、所述氧化物层、所述多晶硅层、所述氮化硅层以及所述正硅酸乙酯层的填充有导电材料的接触孔，所述接触孔与所述多晶硅层之间具有氧化层隔离区；并且，所述接触孔与所述金属层的金属布线相连。
2.如权利要求1所述的用于金属等离子体刻蚀电荷损害测试的测试键结构，其特征在于，所述氧化物层用作MOS晶体管的栅极氧化物层。
3.如权利要求1或2所述的用于金属等离子体刻蚀电荷损害测试的测试键结构，其特征在于，所述测试键结构是用于晶圆可接受性测试的测试键结构。
4.如权利要求1或2所述的用于金属等离子体刻蚀电荷损害测试的测试键结构，其特征在于，所述测试键结构用于测试功率MOS器件的金属等离子体刻蚀电荷损害。
5.如权利要求1或2所述的用于金属等离子体刻蚀电荷损害测试的测试键结构，其特征在于，所述保护环注入区中掺杂有硼元素。
6.一种晶圆测试方法，其特征在于采用了根据权利要求1至5之一所述的晶圆测试键结构来执行晶圆可接受性测试。
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