[发明专利]一种掩膜版、晶圆和测机方法在审
| 申请号： | 201210312702.4 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102799062A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 孙贤波;李钢 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/42 | 分类号： | G03F1/42;G03F7/20;G03F9/00;H01L21/027;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掩膜版 方法 | ||
1.一种掩膜版，用于曝光机测机，其特征在于，包括：
多个套刻标记和多个曝光对准标记。
2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述套刻标记包括多个位于掩膜版周围的粗对准标记和一个精对准标记。
3.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述粗对准标记的对准精度小于所述精对准标记的对准精度。
4.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述粗对准标记为4个。
5.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述精对准标记位于掩膜版中心。
6.如权利要求5所述的掩膜版，其特征在于，所述曝光对准标记位于精对准标记一侧。
7.如权利要求6所述的掩膜版，其特征在于，所述曝光对准标记包括第一方向标记和第二方向标记。
8.如权利要求7所述的掩膜版，其特征在于，所述第一方向标记和第二方向标记相互垂直。
9.一种晶圆，用于曝光机测机，其特征在于，包括：
空片及形成于所述空片上的多个单元，所述多个单元利用如权利要求1至7中任一项所述的掩膜版形成。
10.如权利要求9所述的晶圆，其特征在于，所述多个单元形成在一材料层，所述材料层形成于所述空片上。
11.如权利要求10所述的晶圆，其特征在于，所述材料层为二氧化硅层。
12.如权利要求10所述的晶圆，其特征在于，所述材料层的厚度为800~1200埃。
13.如权利要求9所述的晶圆，其特征在于，晶圆中心单元或晶圆中心点所在行的单元数目多余其他行数目。
14.如权利要求13所述的晶圆，其特征在于，靠近晶圆中心单元或晶圆中心点所在行的一行的单元数目多余远离晶圆中心单元或晶圆中心点所在行的一行的单元数目。
15.如权利要求14所述的晶圆，其特征在于，所述多个单元具有不同的高度。
16.一种测机方法，其特征在于，包括：
利用如权利要求1~8中任一项所述的掩膜版，对如权利要求9~15中的任一项的晶圆进行曝光，其中，曝光时指定一单元的焦距为最佳焦距；
在套刻机台上进行套刻精度和最佳焦距的测量与计算。
17.如权利要求16所述的测机方法，其特征在于，在曝光后，测量之前，还包括如下过程：对所述晶圆进行显影。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210312702.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
