[发明专利]超薄真空密封MEMS晶圆的加工方法无效
| 申请号： | 201210312653.4 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102795593A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 李莉 | 申请（专利权）人： | 深迪半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人： | 齐永红;常 春 |
| 地址： | 上海市浦东新区龙东大道3*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超薄 真空 密封 mems 加工 方法 | ||
1.超薄真空密封MEMS晶圆的加工方法，包括：
对衬底层晶圆进行刻蚀生成下腔体；
将结构层与衬底进行阳极键合；
将结构层减薄至设计的厚度；
在结构层晶圆表面制备金属图形，该金属图形至少包括一PAD区域；
在结构层刻蚀出运动结构；
在一密封帽层晶圆上腐蚀出上腔体，其中，该上腔体包括对应运动结构的第一部分和对应PAD区域的第二部分；
在第二部分上定义一切割道，并在该切割道继续刻蚀出陡直侧壁的腔体；
在密封帽层晶圆上制备键合层粘结剂；
将结构层晶圆与密封帽层晶圆进行键合；
将键合好的晶圆进行双面研磨减薄，其中至少将密封帽层晶圆减薄至PAD区域暴露出。
2.根据权利要求1的所述的方法，其特征在于：再沿该切割道切割。
3.根据权利要求1的所述的方法，其特征在于：所述刻蚀方法为深离子反应刻蚀（DRIE）。
4.根据权利要求1的所述的方法，其特征在于：结构层减薄方法采用化学机械平坦化工艺（CMP）。
5.根据权利要求1的所述的方法，其特征在于：用KOH溶液腐蚀出上腔体。
6.根据权利要求1的所述的方法，其特征在于：刻蚀陡直侧壁的腔体至至少100um。
7.根据权利要求1的所述的方法，其特征在于：双面研磨减薄包括先研磨密封帽层晶圆至PAD区域露出，再研磨衬底层晶圆至所需厚度；或先研磨衬底层晶圆至所需厚度，再研磨密封帽层晶圆至PAD区域露出，或同时将密封帽层晶圆至PAD区域露出，且衬底层晶圆至所需厚度。
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