[发明专利]高强度、高延展性以及高耐腐蚀性铁锰铝碳合金的成份设计及其处理方法有效

专利信息
申请号: 201210312644.5 申请日: 2012-08-29
公开(公告)号: CN103031487A 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 刘增丰 申请(专利权)人: 财团法人交大思源基金会
主分类号: C22C38/06 分类号: C22C38/06;C21D6/00;C21D1/18;C23C8/26;C23C8/38;C23F17/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 彭茜茜
地址: 中国台湾*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 强度 延展性 以及 腐蚀性 铁锰铝碳 合金 成份 设计 及其 处理 方法
【权利要求书】:

1.一种铁锰铝碳合金,其特征是包含有23~34wt.%锰(Mn)、6~12wt.%铝(Al)、1.4~2.2wt.%碳(C)及其余比例为铁(Fe)的合金材料。

2.如权利要求1所述的铁锰铝碳合金,其特征是该合金经在980°C~1200°C进行固溶化处理后淬火,所得显微结构为完全奥氏体相,且在奥氏体相基地内有十分致密细微纳米尺寸的(Fe,Mn)3AlCx碳化物(κ′-碳化物);其中κ′-碳化物系该合金在固溶化处理的淬火过程中藉由旋节线分解(spinodal decomposition)相变化机制于奥氏体相基地内形成。

3.一种铁锰铝碳合金,其特征是包含有25~32wt.%锰(Mn)、7.0~10.5wt.%铝(Al)、1.6~2.1wt.%碳(C)及其余比例为铁(Fe)的合金材料。

4.如权利要求3所述的铁锰铝碳合金,其特征是该合金经在980°C~1200°C进行固溶化处理后淬火,所得显微结构为完全奥氏体相,且在奥氏体相基地内有十分致密细微纳米尺寸的(Fe,Mn)3AlCx碳化物(κ′-碳化物);其中κ′-碳化物系该合金在固溶化处理的淬火过程中藉由旋节线分解(spinodal decomposition)相变化机制于奥氏体相基地内形成。

5.一种具高强度以及高延展性的铁锰铝碳合金的处理方法,其特征是包含有:

(1).将包含有23~34wt.%锰(Mn)、6~12wt.%铝(Al)、1.4~2.2wt.%碳(C)及其余比例为铁(Fe)的材料经一熔炼技术手段,以形成一合金材料;(2).该合金材料在980℃~1200℃进行固溶化处理后淬火,以得显微结构为完全奥氏体相,且在奥氏体相基地内有十分致密细微纳米尺寸的(Fe,Mn)3AlCx碳化物(κ′-碳化物);其中κ′-碳化物系该合金在固溶化处理后的淬火过程中藉由旋节线分解(spinodal decomposition)相变化机制于奥氏体相基地内形成;及(3).将该淬火后的合金,于450℃~550℃温度间进行时效(aging)处理。

6.一种具高强度以及高延展性的铁锰铝碳合金的处理方法,其特征是包含有:

(1).将包含有25~32wt.%锰(Mn)、7.0~10.5wt.%铝(Al)、1.6~2.1wt.%碳(C)及其余比例为铁(Fe)的材料经一熔炼技术手段,以形成一合金材料;(2).该合金材料在980℃~1200℃进行固溶化处理后淬火,以得显微结构为完全奥氏体相,且在奥氏体相基地内有十分致密细微纳米尺寸的(Fe,Mn)3AlCx碳化物(κ′-碳化物);其中κ′-碳化物系该合金在固溶化处理后的淬火过程中藉由旋节线分解(spinodal decomposition)相变化机制于奥氏体相基地内形成;及(3).将该淬火后的合金,于450℃~550℃温度间进行时效(aging)处理。

7.一种具高强度、高延展性以及高耐腐蚀性的铁锰铝碳合金的处理方法,其特征是包含有:

(1).将包含有23~34wt.%锰(Mn)、6~12wt.%铝(Al)、1.4~2.2wt.%碳(C)及其余比例为铁(Fe)的材料经一熔炼技术手段,以形成一合金材料;(2).该合金材料在980℃~1200℃进行固溶化处理后淬火,以得显微结构为完全奥氏体相,且在奥氏体相基地内有十分致密细微纳米尺寸的(Fe,Mn)3AlCx碳化物(κ′-碳化物);其中κ′-碳化物系该合金在固溶化处理后的淬火过程中藉由旋节线分解(spinodal decomposition)相变化机制于奥氏体相基地内形成;及(3).将该淬火后的合金,置于离子氮化炉中,于450℃~550℃温度间进行离子氮化处理。

8.如权利要求7所述的具高强度、高延展性以及高耐腐蚀性的铁锰铝碳合金的处理方法,其特征是其中该离子氮化处理所用的气体,为含20~80%氮气的氮气和氢气的混合气体,离子氮化炉的气压系介于1~6torr之间。

9.如权利要求7所述的具高强度、高延展性以及高耐腐蚀性的铁锰铝碳合金的处理方法,其特征是其中该经离子氮化处理后形成的氮化层主要为AlN化合物。

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