[发明专利]图形化蓝宝石基板再生方法无效
| 申请号： | 201210311752.0 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103633201A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 张简庆华 | 申请（专利权）人： | 晶翰光电材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 胡福恒 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图形 蓝宝石 再生 方法 | ||
1.一种图形化蓝宝石基板再生方法，其特征在于：其包括以下步骤：
烘烤：利用950℃至1500℃的温度对蓝宝石基板进行烘烤，初步去除在蓝宝石基板上的磊晶层；
强碱沉浸：将烘烤后的蓝宝石基板沉浸于强碱的腐蚀液中，进一步去除在蓝宝石基板上的磊晶层；
第一次清洗：对蓝宝石基板进行第一次清洗，以洗净强碱的腐蚀液；
第一次干燥：蓝宝石基板经清洗后，进行第一次干燥；
强酸冲洗：将干燥后的蓝宝石基板以强酸的腐蚀液加以冲洗，以去除在蓝宝石基板的图形化表面残留的磊晶层微粒；
第二次清洗：对蓝宝石基板进行第二次清洗，以洗净强酸的腐蚀液；
第二次干燥：蓝宝石基板经清洗后，进行第二次干燥。
2.依权利要求1所述的图形化蓝宝石基板再生方法，其特征在于：所述烘烤步骤是以高温烘烤炉对蓝宝石基板烘烤，且烘烤时间为500min至800min。
3.依权利要求2所述的图形化蓝宝石基板再生方法，其特征在于：所述烘烤炉对蓝宝石基板烘烤的温度为1360℃。
4.依权利要求1所述的图形化蓝宝石基板再生方法，其特征在于：所述强碱沉浸步骤中的腐蚀液，包含氢氧化钾及氢氧化钠其中之一为腐蚀性物质；所述强酸冲洗步骤中的腐蚀液，以硫酸为腐蚀性物质。
5.依权利要求4所述的图形化蓝宝石基板再生方法，其特征在于：腐蚀液以氢氧化钾为腐蚀性物质时，于40℃至120℃的温度下沉浸120min至240min；腐蚀液以硫酸为腐蚀性物质时，冲洗30min至90min。
6.依权利要求1所述的图形化蓝宝石基板再生方法，其特征在于：所述第一次清洗步骤与第二次清洗步骤，二者中的任一者为快速排水清洗处理或超音波清洗处理。
7.依权利要求6所述的图形化蓝宝石基板再生方法，其特征在于：所述第一次清洗步骤为快速排水清洗处理，清洗时间为60min至180min。
8.依权利要求1所述的图形化蓝宝石基板再生方法，其特征在于：所述第一次干燥步骤与第二次干燥步骤，二者中的任一者为烘干处理或旋转干燥处理。
9.依权利要求8所述的图形化蓝宝石基板再生方法，其特征在于：所述第一次干燥步骤是于40℃至120℃的温度下，且干燥时间为10min至50min。
10.依权利要求8所述的图形化蓝宝石基板再生方法，其特征在于：所述第一次干燥步骤与第二次干燥步骤中，任一者以该旋转干燥处理，干燥时间为60min。
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