[发明专利]电子元件封装体及其制造方法

权利要求书

1.一种电子元件封装体，包括

位于封装体内部的耦合在一起的热电制冷单元和有源元件。

2.根据权利要求1所述的封装体，其中所述热电制冷单元通过高导热界面散热层与有源元件耦合。

3.根据权利要求1所述的封装体，还包括第一承载板和第二承载板，其中

所述有源元件和热电制冷单元夹在第一承载板和第二承载板之间；

所述有源元件和热电制冷单元的四周包裹着中间介质层。

4.根据权利要求3所述的封装体，其特征在于，第一承载板和第二承载板的外表面具有电路结构，并且还包括穿过第一承载板和第二承载板的电学接触通孔，实现热电制冷单元、有源元件的电学引出。

5.根据权利要求3所述的封装体，其特征在于，所述第一承载板和/或第二承载板的内表面具有电路结构，热电制冷单元和/或有源元件通过倒装焊技术连接到第一承载板和/或第二承载板的内表面上的电路结构。

6.根据权利要求1所述的封装体，其特征在于，所述热电制冷单元包括串联连接的至少一个N型制冷元件和至少一个P型制冷元件。

7.根据权利要求1所述的封装体，其特征在于，所述第一承载板和第二承载板的材料为有机树脂。

8.根据权利要求7所述的封装体，其特征在于，所述第一承载板和第二承载板的材料为环氧树脂、双马来酰亚胺-三嗪树脂或者高熔点的液晶聚合物。

9.根据权利要求3所述的封装体，其特征在于，所述中间介质层为聚酰亚胺、聚丙烯或者低熔点的液晶聚合物材料。

10.根据权利要求2所述的封装体，其特征在于，所述高导热界面散热层带有自粘性。

11.根据权利要求10所述的封装体，其特征在于，所述高导热界面散热层是导热胶，导热硅胶片、或基于纳米技术的新型界面散热材料。

12.一种电子元件封装体的制造方法，包括：

a）提供第一承载板，第一承载板的内表面上形成有图形化的电路结构；

b）将有源元件安装到第一承载板的内表面上；

c）将热电制冷单元贴装到有源元件上；

d）提供中间介质层和第二承载板，在中间介质层上形成有中间空腔，第二承载板的内表面上形成有图形化的电路结构；

e）将安装有有源元件的第一承载板、中间介质层、第二承载板热压积层；

f）制作并填充通孔；

g）在第一承载板和第二承载板的外表面上形成图形化的电路结构。

13.根据权利要求12所述的方法，其中步骤g）中，通过涂胶/压膜、曝光、显影、蚀刻和除胶/去膜，在第一承载板和第二承载板的外表面上形成图形化的电路结构。

14.根据权利要求12所述的方法，其中步骤b）中，所述有源元件的安装的方法为倒装焊。

15.根据权利要求12所述的方法，其中步骤c）中，所述热电制冷单元通过界面散热材料粘附到有源元件上。

16.根据权利要求12所述的方法，其中步骤f）中，通孔通过机械钻孔或激光钻孔形成，并通过化学沉积或电镀填充。

17.根据权利要求12所述的方法，其中所述热电制冷单元包括串联连接的至少一个N型制冷元件和至少一个P型制冷元件。

18.一种电子元件封装体的制造方法，包括：

a）提供有源元件，所述有源元件贴装在封装薄膜上；

b）将热电制冷单元贴装到有源元件上；

c）提供带有中间空腔的中间介质层，将中间介质层贴到封装薄膜上，所述有源元件和热电制冷单元嵌入中间介质层的中间空腔中；

d）形成覆盖中间介质层和热电制冷单元的顶部绝缘层；

e）在顶部绝缘层中形成顶部通孔，与热电制冷单元电学连接，并在顶部绝缘层的外表面上形成图形化的电路结构；

f）去掉封装薄膜，形成底部绝缘层；

g）在底部绝缘层中形成底部通孔，与有源元件电学连接，并在底部绝缘层的外表面上形成图形化的电路结构。

19.根据权利要求18所述的方法，其中步骤a）中，所述有源元件的有源面贴装在封装薄膜上。