[发明专利]带有埋置电极的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在被置放在半导体基板上的外延层中形成的有源器件区域；和

在所述半导体基板内形成的空腔中被置放在所述有源器件区域下面的埋置电极，所述埋置电极包括不同于所述半导体基板的材料的导电材料。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述埋置电极包括金属材料。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述埋置电极包括TiN或者钨。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述埋置电极包括多晶硅。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述埋置电极包括碳。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括从所述埋置电极延伸到所述半导体基板的表面的导电触点。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述触点从所述埋置电极垂直地延伸到在其上置放所述外延层的所述半导体基板的表面。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述触点从所述埋置电极垂直地延伸到在其上置放所述外延层的所述半导体基板的相对表面。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述触点从所述埋置电极横向地延伸到所述半导体基板的被置放在所述半导体基板的顶表面和底表面之间的侧表面。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中与在所述半导体基板的、在半导体基板材料的更重掺杂的区域和所述有源器件区域之间的区域中相比，所述半导体基板的材料在邻近于所述埋置电极的区域中被更重掺杂。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述埋置电极的导电材料沿着在所述半导体基板中形成的空腔的侧壁被置放从而空腔被置放在所述埋置电极的内部部分中。

12.一种制造半导体器件的方法，包括：

在半导体基板内形成空腔；

在被置放在所述半导体基板上的外延层中形成有源器件区域；和

在所述空腔中在所述有源器件区域下面形成埋置电极，所述埋置电极包括不同于所述半导体基板的材料的导电材料。

13.根据权利要求12所述的方法，包括至少部分地利用金属材料填充所述空腔。

14.根据权利要求13所述的方法，包括至少部分地利用TiN或者钨填充所述空腔。

15.根据权利要求12所述的方法，包括至少部分地利用多晶硅填充所述空腔。

16.根据权利要求12所述的方法，包括至少部分地利用碳填充所述空腔。

17.根据权利要求12所述的方法，进一步包括形成触点，所述触点从所述埋置电极延伸到所述半导体基板的表面并且与所述埋置电极形成互连。

18.根据权利要求12所述的方法，其中通过保形化学汽相沉积工艺、原子层沉积工艺或者湿法工艺来形成所述埋置电极，并且通过溅射或者电镀工艺来形成所述触点。

19.根据权利要求12所述的方法，进一步包括与在所述半导体基板的、在半导体基板材料的更重掺杂的区域和所述有源器件区域之间的区域中相比，在邻近于所述空腔的区域中更重掺杂所述半导体基板的材料。

20.根据权利要求19所述的方法，其中通过在埋置电极在空腔中形成之前将具有气态形式的掺杂剂引入到所述空腔中并且执行扩散工艺以激活所述掺杂剂，邻近于所述空腔的所述半导体基板的材料被更重掺杂。

21.根据权利要求12所述的方法，包括沿着所述空腔的侧壁置放所述埋置电极的导电材料从而所述埋置电极的内部部分具有未被填充的空腔。

22.根据权利要求12所述的方法，其中通过在所述半导体基板中形成多孔区域并且随后在足够高以从所述多孔区域形成所述空腔的温度下在所述半导体基板上形成所述外延层，在所述半导体基板内形成所述空腔。

23.根据权利要求12所述的方法，其中通过利用质子照射所述半导体基板的区域并且随后在足够高以从被照射区域形成所述空腔的温度下将所述半导体基板退火，在所述半导体基板内形成所述空腔。