[发明专利]低侧逻辑与高侧逻辑之间的高速电平转换器

权利要求书

1. 一种电平转换器，包括：

多个可开关的电流镜电路，所述多个可开关的电流镜电路配置成被选择性地开启，以将接收到的第一逻辑侧的差分输入信号转变成第二逻辑侧的互补的差分输出信号；

锁存器，所述锁存器配置成存储所述差分输出信号；以及

一个或多个开关元件，所述一个或多个开关元件配置成接收来自所述锁存器的所存储差分输出信号并且关闭开启的电流镜电路。

2. 根据权利要求1所述的电平转换器，其中，所述可开关的电流镜包括：

第一可开关的电流镜电路，所述第一可开关的电流镜电路配置成被选择性地开启，以将所述第一逻辑侧的第一差分输入信号转变成所述第二逻辑侧的第一差分输出信号；以及

第二可开关的电流镜电路，所述第二可开关的电流镜电路配置成被选择性地开启，以将所述第一逻辑侧的第二差分输入信号转变成所述第二逻辑侧的第二差分输出信号，所述第二差分输出信号与所述第一差分输出信号互补。

3. 根据权利要求2所述的电平转换器，

其中，所述第一可开关的电流镜电路和所述第二可开关的电流镜电路以互补的方式被开启和关闭，从而一次开启所述第一可开关的电流镜或所述第二可开关的电流镜中的一个以生成所述差分输出信号中的一个；以及

其中，所述锁存器进一步配置成将另一个差分输出信号驱动到与所述差分输出信号中的所述一个互补的值。

4. 根据权利要求3所述的电平转换器，其中，所述第一可开关的电流镜电路和所述第二可开关的电流镜电路分别包括：

第一PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管具有与第一漏极扩展PMOS晶体管的栅极耦合的栅极；

其中，所述一个或多个开关元件中的至少一个连接于所述第一PMOS晶体管的栅极。

5. 根据权利要求4所述的电平转换器，其中，所述一个或多个开关元件包括：

第一漏极扩展PMOS控制晶体管，所述第一漏极扩展PMOS控制晶体管包括：

    连接于所述第一差分输出信号的栅极；

    连接于所述第二逻辑侧的供给电压的漏极；以及

    连接于所述第一电流镜电路中的所述第一PMOS晶体管的栅极的源极；

第二漏极扩展PMOS控制晶体管，所述第二漏极扩展PMOS控制晶体管包括：

    连接于所述第二差分输出信号的栅极；

    连接于所述第二逻辑侧的供给电压的漏极；以及

    连接于所述第二电流镜电路中的所述第一PMOS晶体管的栅极的源极。

6. 根据权利要求5所述的电平转换器，还包括：

第一缓存器，所述第一缓存器位于所述第一差分输出信号与所述第一漏极扩展PMOS控制晶体管的栅极之间；以及

第二缓存器，所述第二缓存器位于所述第二差分输出信号与所述第二漏极扩展PMOS控制晶体管的栅极之间。

7. 根据权利要求1所述的电平转换器，其中，所述第一逻辑侧包括具有第一电压电势域的低侧逻辑，并且其中所述第一逻辑侧包括高侧逻辑，所述高侧逻辑具有大于所述第一电压电势域的第二电压电势域。

8. 根据权利要求1所述的电平转换器，其中，所述锁存器包括连接在所述第二逻辑侧的差分输出之间的交叉耦合的第一逆变器和第二逆变器。