[发明专利]一种处理LED芯片多金异常的方法无效
| 申请号： | 201210308838.8 | 申请日： | 2012-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN103633195A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 樊邦扬 | 申请（专利权）人： | 鹤山丽得电子实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529728 广东省江*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 处理 led 芯片 异常 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种处理LED芯片多金异常的方法，其特征在于包括如下步骤：
（a）、使用光阻覆盖芯片，并通过黄光制程得到图形以保护电极；
（b）、将电极已被保护的芯片放入至含碘的碘化钾溶液中腐蚀；
（c）、等多金异常被腐蚀完后将芯片取出，清洗并吹干；
（d）、芯片吹干后放入去光阻液中去除光阻;
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：碘化钾溶液中主要成份为K+、I-、I2和水。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述碘化钾溶液中不含其它酸类物质。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：保护电极的光阻图形边沿比电极边沿尺寸大2-8um。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：保护电极的光阻图形边沿比电极边沿尺寸大5um。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述芯片去除光阻后下一步骤包括将芯片放入去离子水中进行清洗并吹干。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述碘化钾溶液腐蚀后用热水清洗芯片。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：使用常温碘化钾溶液进行腐蚀。
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