[发明专利]一种电压斜率变化检测电路及方法

权利要求书

1.一种电压斜率变化检测电路，包括：一电容、一PMOS电压跟随器、一对NMOS电流管、一电流基准和一反相器，所述一对NMOS电流管包括：电流镜主管NMOS和电流镜镜像管NMOS；其特征在于，所述检测电路的整体电路结构为：

电容的一端接电源VCC或地，另一端接PMOS管的源极,PMOS管的栅极接输入电压，PMOS管的漏极接电流镜主管NMOS的漏极，电流镜主管NMOS的源极接地，电流镜主管NMOS的栅极接电流镜主管NMOS的漏极和电流镜镜像管NMOS的栅极，电流镜镜像管NMOS的源极接地，电流镜镜像管NMOS的漏极接电流基准的一端，电流基准的另一端接电源VCC，电流镜镜像管NMOS的漏极同时接反相器的输入端，反相器的输出端接输出信号。

2.如权利要求1所述的一种电压斜率变化检测电路，其特征在于，所述PMOS电压跟随器用于跟踪输入信号电压的变化，并将此变化转换为电容上的电压变化。

3.如权利要求2所述的一种电压斜率变化检测电路，其特征在于，所述电流镜主管NMOS能够利用电容上的电压变化产生一个与dV/dT成比例的电流。

4.如权利要求3所述的一种电压斜率变化检测电路，其特征在于，所述电流镜镜像管NMOS能够将所述与dV/dT成比例的电流镜像生成另外一个与之成比例的镜像电流。

5.如权利要求4所述的一种电压斜率变化检测电路，其特征在于，所述电流基准能够产生一基准电流，用于与所述镜像电流比较。

6.如权利要求5所述的一种电压斜率变化检测电路，其特征在于，所述反相器能够将所述镜像电流与所述基准电流比较后结果放大并输出。

7.如权利要求1所述的一种电压斜率变化检测电路，其特征在于，所述PMOS电压跟随器和所述NMOS电流管可以互相替代，即PMOS电压跟随器可采用NMOS电流管替代，或所述NMOS电流管可采用PMOS电压跟随器替代。

8.一种电压斜率变化检测方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：用一PMOS电压跟随器去跟随输入信号电压的变化，并将此变化转换为电容上的电压的变化；

S2：用一NMOS电流镜管将电容上的电压变化生成一个与dV/dT成比例的电流；

S3：将S2步骤中所生成的电流利用另一个NMOS电流镜管生成一镜像电流；

S4：将S3步骤中生成的镜像电流与一电流基准产生的基准电流比较，并输出一比较结果；

S5：利用反相器将S4步骤中输出的比较结果放大后输出。

9.如权利要求8所述的一种电压斜率变化检测方法，其特征在于，S2步骤中所述的NMOS电流镜管和S3步骤中所述的另一个NMOS电流镜管构成一对NMOS电流镜管，且S2步骤中所述的NMOS电流镜管为电流镜主管，S3步骤中所述的另一个NMOS电流镜管为电流镜镜像管。