[发明专利]一种基于基板、锡层的WLCSP多芯片堆叠式封装件及其封装方法

权利要求书

1.一种基于基板、锡层的WLCSP多芯片堆叠式封装件，其特征在于：包括基板、基板上锡层、焊料、金属凸点、上层IC芯片、粘片胶、下层IC芯片、下层IC芯片与基板间的焊线、塑封体；基板上与金属凸点焊接区域镀有锡层，IC芯片的压区表面镀金属凸点，金属凸点与基板上锡层采用倒装芯片的方式用焊料焊接在一起，对上层IC芯片、下层IC芯片、焊线起到了支撑和保护作用的塑封体包围了基板、锡层、焊料、金属凸点、上层IC芯片构成了电路的整体，上层IC芯片、下层IC芯片、焊线、金属凸点、焊料、锡层和基板构成了电路的电源和信号通道。

2.根据权利要求1所述的一种基于基板、锡层的WLCSP多芯片堆叠式封装件，其特征在于：粘片胶用胶膜片代换。

3.根据权利要求1所述的一种基于基板、锡层的WLCSP多芯片堆叠式封装件，其特征在于：焊线为金线或铜线。

4.一种基于基板、锡层的WLCSP多芯片堆叠式封装件的封装方法，其特征在于：封装方法按照以下步骤进行：

第一步、晶圆减薄；

晶圆减薄的厚度为50μm～200μm，粗糙度Ra 0.10mm～0.30mm；

第二步、镀金属凸点；

在整片晶圆上芯片压区金属Au或Cu表面镀2～50um金属凸点；

第三步、划片；

150μm以上的晶圆采用普通划片工艺；厚度在150μm以下的晶圆，采用双刀划片机及其工艺；

第四步、框架对应区域镀锡；

在基板1上PAD对应区域镀上一层2～50um的锡层；

第五步、上芯

上芯时，下层IC芯片倒过来，采用Flip-Chip的工艺，利用焊料将芯片各凸点与框架管脚焊接；上层IC芯片采用粘片胶与下层芯片粘接在一起；

第六步、回流焊；

采用SMT之后的回流焊工艺，经过融锡处理，把IC芯片压区上的焊线与基板焊接在一起；

第七步、压焊；

对上层芯片与基板之间用焊线进行连接压焊；

第八步、塑封、后固化、打印、产品分离、检验、包装等均与常规工艺相同；

第九步、锡化。

5.根据权利要求4所述的一种基于基板、锡层的WLCSP多芯片堆叠式封装件的封装方法，其特征在于：所述的框架采用镍钯金框架则不需要做锡化处理。