[发明专利]非易失性存储器件

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2011年12月9日提交的申请号为10-2011-0132056的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及半导体设计技术，更具体而言，涉及一种即使当电源中断时也能保留储存的数据的非易失性存储器件。

背景技术

诸如即使当供电中断时也能保留储存的数据的NAND型快闪存储器件的非易失性存储器件的储存容量可以增加。

存储器单元的集成水平随着储存容量的增加而增加，可能会发生因相邻单元的浮栅的电位而引起阈值变化的现象。这种阈值变化被称为邻近效应。

邻近效应会改变写入数据的存储器单元的阈值。邻近效应是缩小阈值分布宽度时的一种障碍，并且是使增加非易失性存储器件的储存容量困难的因素之一。

发明内容

本发明的一个实施例涉及一种能有效防止单元之间干扰的非易失性存储器件。

根据本发明的一个实施例，一种非易失性存储器件包括：N（N是等于或大于2的整数）个非易失性存储单元，所述N个非易失性存储单元被设置在页的标志区域；N个标志页缓冲器，所述N个标志页缓冲器被配置成将标志数据输入到标志区域的非易失性存储器单元和从标志区域的非易失性存储器单元输出标志数据；以及数据输入/输出控制单元，所述数据输入/输出控制单元被配置成选择R个标志页缓冲器使得标志数据从R个选中的标志页缓冲器输入和输出，并且未选中的N-R个标志页缓冲器不输入和输出标志数据，其中，所述R个选中的标志页缓冲器中没有一个标志页缓冲器与所述R个选中的另一个标志页缓冲器直接相邻。

根据本发明的另一个实施例，一种非易失性存储器件包括：包括设置在标志区域的的K（K是等于或大于1的整数）个页，所述K个页每个都包括N（N是等于或大于2的整数）个非易失性存储器单元，其中通过字线来对所述K个页进行存取；N个标志页缓冲器，所述N个标志页缓冲器被配置成将标志数据输入到与所述K个页的标志区域相对应的K*N个非易失性存储器单元和从所述K*N个非易失性存储器单元输出所述标志数据；以及数据输入/输出控制单元，所述数据输入/输出控制单元被配置成选择R个标志页缓冲器使得所述标志数据从所述R个选中的标志页缓冲器中输入和输出，并且没有标志数据经由未选中的N-R个标志页缓冲器来输入和输出，其中，所述R个选中的标志页缓冲器中没有一个标志页缓冲器与所述R个选中的标志页缓冲器中的另一个标志页缓冲器直接相邻。

根据本发明的另一个实施例，一种非易失性存储器件包括：第一字线，通过所述第一字线对K（K是等于或大于1的整数）个页进行存取，每个页包括设置在相应的标志区域的N（N是等于或大于2的整数）个非易失性存储单元；第二字线，通过所述第二字线对K（K是等于或大于1的整数）个页进行存取，每个页包括设置在相应的标志区域的N（N是等于或大于2的整数）个非易失性存储单元，其中，所述第二字线与所述第一字线相邻；N个标志页缓冲器，所述N个标志页缓冲器被配置成将标志数据输入到K*N个非易失性存储器单元中和从所述K*N个非易失性存储器单元中输出所述标志数据，所述K*N个非易失性存储器单元与通过所述第一字线或所述第二字线存取的K个页的标志区域相对应；以及数据输入/输出控制单元，所述数据输入/输出控制单元被配置成在通过所述第一字线存取的K个页的标志区域中选择第一组标志页缓冲器，并在通过所述第二字线存取的K个页的标志区域中选择第二组标志页缓冲器，使得所述标志数据从选中的第一组和第二组标志页缓冲器输入和输出，并且没有标志数据经由未选中的标志页缓冲器来输入和输出，其中，所述第一组中没有一个标志页缓冲器与选中的标志页缓冲器的第一组的另一个紧密邻近，以及所述第二组中没有一个标志页缓冲器与选中的标志页缓冲器的第二组的另一个标志页缓冲器紧密邻近。

附图说明

图1A和图1B是说明存储器单元的数据写入的图。

图2是沿着存储器单元的位线方向截取的截面图。

图3A和3B是说明在邻近效应发生之前和之后的阈值电压分布的图。

图4是说明将数据写入存储器单元的图。

图5是说明根据本发明的第一实施例的非易失性存储器件的配置的框图。

图6是说明根据本发明的第二实施例的非易失性存储器件的配置的框图。

图7是说明根据本发明的第三实施例的非易失性存储器件的配置的框图。