[发明专利]一种调节基片表面温度的控温系统和控温方法

权利要求书

1.一种调节基片表面温度的控温系统，所述控温系统位于一化学气相沉积反应器或者外延层生长反应器内，所述反应器包括一基片承载架，所述基片承载架表面放置基片，其特征在于：所述控温系统包括：

第一加热部件和第二加热部件，所述第一加热部件和第二加热部件位于所述基片承载架附近，在所述基片承载架支撑基片的表面区域形成第一加热区和第二加热区；

供电系统，包括第一加热电源输出和第二加热电源输出，所述的第一加热电源输出和第二加热电源输出分别和所述的第一加热部件和第二加热部件相连；

温度探测装置，用于测量所述第一加热区的温度；

控制器，所述控制器内预先存储有若干组第一加热区的温度及影响所述第一加热区温度的参数，以及对应的第二加热区的温度调节参数，所述控制器和所述温度探测装置相连，所述控制器对所述温度探测装置探测到的第一加热区温度与预先储存的数据进行运算比较，得出第二加热区的温度调节参数；

所述控制器将经过比较得出的第二加热区的温度调节参数输送到供电系统，调节第二加热电源输出。

2.根据权利要求1所述的控温系统，其特征在于：所述控温系统还包括第三加热部件以及与第三加热部件连接的第三加热电源输出。

3.根据权利要求1所述的控温系统，其特征在于：所述的控温系统还包括一温度调节装置，所述温度调节装置和所述控制器相连，所述温度调节装置根据所述控制器输出的第二加热区的温度调节参数调节所述供电系统的第二加热电源输出。

4.根据权利要求1所述的控温系统，其特征在于：所述的第二加热区的温度调节参数为：所述的第二加热电源输出与所述的第一加热电源输出的比值。

5.根据权利要求1所述的控温系统，其特征在于：所述供电系统的第一加热电源输出和第二加热电源输出为电流输出或电压输出。

6.根据权利要求1所述的控温系统，其特征在于：所述的供电系统为同时具有若干输出的一个加热电源，或为若干个具有单一输出的加热电源。

7.根据权利要求3所述的控温系统，其特征在于：所述温度调节装置位于所述控制器内部，或者位于所述供电系统内部，或者位于所述控制器和所述供电系统之间，控制所述供电系统的输出。

8.根据权利要求1所述的控温系统，其特征在于：所述控制器还连接一气体流速测量装置、一压力探测装置和一转速控制装置。

9.根据权利要求1所述的控温系统，其特征在于：所述的影响所述第一加热区温度的参数包括反应器内的各种反应气体的流速、基片承载架周围的压力以及基片承载架的转速。

10.一种调节基片表面温度的控温方法，其特征在于：包括下列步骤：

将待处理基片置于一化学气相沉积反应器或外延层生长反应器的基片承载架上，在所述基片承载架附近设置至少第一加热部件和第二加热部件，所述第一加热部件和第二加热部件分别连接第一加热电源输出和第二加热电源输出，所述第一加热部件和第二加热部件在所述基片承载架支撑基片的表面区域对应形成第一加热区和第二加热区；

在所述控制器内预先储存若干组第一加热区的温度及若干组影响所述基片表面温度的参数，以及对应的第二加热区的温度调节参数；

采用一温度探测装置对所述第一加热区的温度进行探测，将测得的温度输送到所述控制器内；所述控制器将接收到的所述第一加热区的温度与预先储存在所述控制器内的温度参数进行运算比较，得到在相同或最相近的工艺条件下所述第二加热区的温度调节参数；

将所述控制器输出的第二加热区的温度调节参数输入到一与所述控制器相连的温度调节装置，所述温度调节装置根据接收到的第二加热区的温度调节参数控制所述第二加热电源的输出，用以控制所述第二加热部件的温度。

11.根据权利要求10所述的控温方法，其特征在于：所述的控制器对接收到的温度和预先储存的温度运算比较结束后，若对应的第二加热区的温度调节参数不唯一，所述控制器会进一步运算比较进入反应腔内各反应气体流速参数。

12.根据权利要求11所述的控温方法，其特征在于：所述的控制器对接收到的所述第一加热区的温度和反应气体的流速与预先储存的温度和反应气体的流速运算比较结束后，若对应的第二加热区的温度调节参数不唯一，所述控制器会进一步运算比较基片承载架周围的压力以及基片承载架的转速等工艺条件参数。