[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法无效
申请号: | 201210305531.2 | 申请日: | 2012-08-24 |
公开(公告)号: | CN103633249A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 周明杰;王平;冯小明;钟铁涛 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
地址: | 518100 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及发光显示技术领域,特别是涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光(Organic Light Emission Diode),以下简称OLED,具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性,同时拥有高清晰、广视角,以及响应速度快等优势,是一种极具潜力的显示技术和光源,符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势,以及绿色照明技术的要求,是目前国内外众多研究者的关注重点。
有机电致发光二极管具有一种类似三明治的结构,其上下分别是阴极和阳极,二个电极之间夹着单层或多层不同材料和不同结构的有机材料功能层,依次为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。有机电致发光器件是载流子注入型发光器件,在阳极和阴极加上工作电压后,空穴从阳极,电子从阴极分别注入到有机材料功能层中,两种载流子在有机发光层中形成空穴-电子对发光,然后光从电极一侧发出。
目前,有机电致发光二极管已经在照明领域有着广泛的应用。在一些特定的照明环境中,有时需要一种高显色指数的照明产品来提供照明,例如画廊,室内园林,通常制备的有机电致发光器件,其显色指数在75~80左右。然而在这些特殊的应用场所,需要更高显色指数的照明装置。因此,开发高显示指数的有机电致发光器件具有重要的意义。
发明内容
基于此,有必要针对现有的有机电致发光器件的显示指数不高的问题,提供一种显示指数较高的有机电致发光器件及其制备方法。
一种有机电致发光器件,包括依次层叠的衬底、阳极、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和阴极,所述发光层包括依次层叠在所述电子阻挡层上的红光发光层、绿光发光层、激子阻挡层和蓝光发光层。
在其中一个实施例中,所述红光发光层由二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱掺杂于4,4'-二(9-咔唑)联苯中形成,所述二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱占所述红光发光层的质量百分比为2~10%。
在其中一个实施例中,所述绿光发光层由三(2-苯基吡啶)合铱掺杂于4,4',4"-三(咔唑-9-基)三苯胺中形成,所述三(2-苯基吡啶)合铱占所述绿光发光层的质量百分比为2~10%。
在其中一个实施例中,所述激子阻挡层的材料为N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯及4,4',4"-三(咔唑-9-基)三苯胺中的至少一种。
在其中一个实施例中,所述蓝光发光层的材料选自双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱、4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯、双(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱、9,10-二-β-亚萘基蒽和4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯中的一种;或
由双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱或双(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱掺杂于1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中形成,所述(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱或双(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱占所述蓝光发光层的质量百分比为2~10%;或
由4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯掺杂于4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯中形成,所述4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯占所述蓝光发光层的质量百分比为2~10%;或
由9,10-二-β-亚萘基蒽掺杂于N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺中形成,所述9,10-二-β-亚萘基蒽占所述蓝光发光层的质量百分比为2~10%。
在其中一个实施例中,所述红光发光层的厚度为5~10纳米,所述绿光发光层的厚度为20~30纳米,所述蓝光发光层的厚度为5~15纳米,所述激子阻挡层的厚度为2~5纳米。
在其中一个实施例中,所述衬底为透明玻璃;
所述阳极为氧化铟锡薄膜;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择