[发明专利]一种具有高温自保护功能的IGBT器件

权利要求书

1.一种具有高温自保护功能的IGBT器件，包括金属化集电极（1）、P型集电区（2）、N⁺缓冲层（3）、N^-漂移区（4）、P⁺体区（6）、P型基区（5）、N⁺源区（7）、二氧化硅栅氧化层（8）、多晶硅栅电极（9）、二氧化硅场氧化层（10）、金属化发射极（11）；金属化集电极（1）位于P型集电区（2）的背面，N⁺缓冲层（3）位于P型集电区（2）的正面，且上方同N^-漂移区（4）相连；N⁺源区（7）和P⁺体区（6）二者并排位于金属化发射极（12）下方、且与金属化发射极（12）相连，其中P⁺体区（6）下方与N^-漂移区（4）直接相连，N⁺源区（7）同N^-漂移区（4）之间隔着P型基区（5）；N^-漂移区（4）、P型基区（5）和N⁺源区（7）三者与多晶硅栅电极（9）之间隔着二氧化硅栅氧化层（8），多晶硅栅电极（9）与金属化发射极（11）之间隔着二氧化硅场氧化层（10）；其特征在于，所述P型基区（5）中引入了带有受主能级的深能级杂质（12）。

2.根据权利要求1所述的具有高温自保护功能的IGBT器件，其特征在于，所述深能级杂质（12）的杂质能级位于导带底以下0.15eV。

3.根据权利要求1所述的具有高温自保护功能的IGBT器件，其特征在于，所述深能级杂质（12）为铟、钛、铍、锌或镍。

4.根据权利要求1所述的具有高温自保护功能的IGBT器件，其特征在于，所述深能级杂质（12）通过离子注入并推阱的方式引入到P型基区（5）中，或通过杂质扩散的方式引入到P型基区（5）中。

5.根据权利要求1所述的具有高温自保护功能的IGBT器件，其特征在于，所述二氧化硅栅氧化层（8）和多晶硅栅电极（9）构成的栅极结构是平面栅结构或沟槽栅结构。

6.根据权利要求1所述的具有高温自保护功能的IGBT器件，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管半导体材料采用体硅、碳化硅、砷化镓、磷化铟或鍺硅半导体材料。