[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：

a)在衬底上形成金属互连线；

b)形成覆盖所述金属互连线的掩膜层，在所述掩膜层上形成暴露所述金属互连线的开口；

c)通过所述开口刻蚀并断开所述金属互连线，实现金属互连线的绝缘隔离。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属互连线的材料为铜、钨、铝、镍。

3.根据权利要求1所述的方法，其中步骤a）中，所述衬底上具有一层或多层绝缘层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、硼硅玻璃、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃中的一种或其组合。

5.根据权利要求1所述的方法，其中步骤c）中刻蚀并断开所述金属互连线的方法为RIE干法刻蚀、激光烧蚀、电子束刻蚀或聚焦离子束刻蚀。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤a）包括：

i）在绝缘层上形成一层光刻胶，并进行图形化；

ii）刻蚀所述绝缘层形成沟槽；

iii）在所述沟槽中形成金属互连线。

7.根据权利要求6所述的方法，其中步骤iii）中形成金属互连线之前还包括在所述沟槽的侧壁形成阻挡层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述阻挡层的材料为Ti、TiN、Ta、TaN等。

9.根据权利要求1所述的方法，其中步骤c）中还包括：完成所述金属互连线刻蚀之后，填充所述开口。

10.根据权利要求9所述的方法，填充所述开口的材料为SiO2、SiOF、SiCOH、SiO、SiCO、SiCON等。

11.一种半导体结构，包括衬底以及在衬底中形成的金属互联线，其中：

金属互联线端点之间被形成在衬底中的绝缘墙所断开。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其中，所述绝缘墙的材料与衬底的材料不同。

13.根据权利要求11或12所述的半导体结构，其中，所述绝缘墙的厚度小于所述金属互联线的宽度。