[发明专利]一种形成源漏区双外延层的方法有效
| 申请号： | 201210303567.7 | 申请日： | 2012-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN103633027A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 卜伟海;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 形成 源漏区双 外延 方法 | ||
1.一种形成源漏区双外延层的方法，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上至少包含第一栅极和第二栅极；
在所述半导体衬底上形成外延阻挡层；
蚀刻去除所述第一栅极以及两侧源漏区上的外延阻挡层，露出所述半导体衬底，并在所述第一栅极两侧的源漏区外延生长第一半导体材料层，形成第一抬升源漏；
蚀刻去除剩余的所述外延阻挡层，在所述第二栅极两侧的源漏区外延生长第二半导体材料层，形成第二抬升源漏，
其中，所述第一抬升源漏呈尖角形状，以抑制所述第二半导体材料在所述第一抬升源漏上的外延生长。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一抬升源漏的截面为三角形。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一抬升源漏的晶面为（111）面。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一半导体材料层为SiGe材料层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二半导体材料层为Si材料层或SiC材料层。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述外延阻挡层为二氧化硅或者氮化硅层。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，过蚀刻去除所述第一栅极以及两侧的源漏区上的外延阻挡层，并在所述第一栅极两侧的源漏区形成“∑”形凹陷。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，过蚀刻去除剩余所述外延阻挡层，并在所述第二栅极以及两侧源漏区形成凹陷。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一栅极以及两侧源漏区为PMOS的组成部分，相应地，所述第二栅极以及两侧源漏区为NMOS的组成部分。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
