[发明专利]氮化物半导体发光元件和装置及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体发光元件，包括：

基板；

氮化物半导体多层部分，设置在所述基板上；以及

保护层，设置在所述氮化物半导体多层部分的上部上，

其中所述氮化物半导体多层部分包括发光层，且

气隙层形成在所述基板与所述发光层之间的区域以及所述发光层与所述保护层之间的区域的至少之一中。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，还包括：

电流扩散层，设置在所述氮化物半导体多层部分上，

其中所述气隙层设置在所述电流扩散层和所述保护层之间。

3.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，

其中所述氮化物半导体多层部分还包括：第一氮化物半导体层，设置在所述基板和所述发光层之间；以及第二氮化物半导体层，设置在所述发光层和所述保护层之间，并且

所述气隙层形成在所述第一氮化物半导体层中的区域和所述第二氮化物半导体层中的区域的至少之一中。

4.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，还包括：

固体层，在所述发光层的主面的法线方向上被设置为邻近所述气隙层，

其中所述固体层相对于所述气隙层具有高的折射率对比度，且所述固体层与所述气隙层配对而形成反射镜。

5.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，还包括：

连接电极，设置在所述氮化物半导体多层部分的上部上；以及

第一高反射电极层，设置在所述氮化物半导体多层部分和所述连接电极之间。

6.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，

其中所述氮化物半导体多层部分还包括设置在所述基板和所述发光层之间的第一氮化物半导体层，且

所述氮化物半导体发光元件还包括：

接触电极，设置在所述第一氮化物半导体层的上部上；以及

第二高反射电极层，设置在所述第一氮化物半导体层和所述接触电极之间。

7.一种氮化物半导体发光装置，包括：

氮化物半导体发光元件，包括：

基板；

氮化物半导体多层部分，设置在所述基板上且具有发光层；以及

保护层，设置在所述氮化物半导体多层部分的上部上；

封装基板，所述氮化物半导体发光元件安装在该封装基板上；以及

树脂密封部分，该树脂密封部分是透光的且密封安装在所述封装基板上的所述氮化物半导体发光元件，

其中气隙层形成在所述氮化物半导体发光元件中的所述基板和所述发光层之间的区域、所述氮化物半导体发光元件中的所述发光层和所述保护层之间的区域以及所述封装基板中的区域的至少之一中。

8.一种氮化物半导体发光元件的制造方法，包括：

在基板上设置具有发光层的氮化物半导体多层部分的步骤；

在所述氮化物半导体多层部分的上部上设置保护层的步骤；以及

在所述基板和所述发光层之间的区域以及所述发光层和所述保护层之间的区域的至少之一中形成气隙层的步骤。

9.根据权利要求8所述的氮化物半导体发光元件的制造方法，还包括：

在所述发光层的主面的法线方向上邻近所述气隙层设置固体层的步骤，其中所述固体层相对于所述气隙层具有高的折射率对比度，并且所述固体层与所述气隙层配对而形成反射镜。