[发明专利]机械剥离的膜的固定曲率力加载方法

权利要求书

1.一种剥离方法，包括：

在基底基板的上表面上沉积应力施加层；

使所述应力施加层与平坦转移表面在所述基底基板的第一边缘处接触；以及

在从所述基底基板的所述第一边缘到所述基底基板的相对的第二边缘的方向上，沿一平面横移所述平坦转移表面，所述平面平行于所述基底基板的所述上表面并具有离开所述基底基板的所述上表面的垂直偏移，以使所述基底基板裂开并将所述基底基板的被剥离部分转移到所述平坦转移表面，所述平坦转移表面沿其横移的所述平面与所述基底基板的所述上表面之间的所述垂直偏移从所述基底基板的第一边缘到所述基底基板的所述第二边缘为固定距离，其中所述垂直偏移的所述固定距离提供均匀的剥离力。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底基板包括半导体材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底基板具有小于所述应力施加层的断裂韧性。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述应力施加层包含金属、聚合物、剥离诱导带或其组合。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述应力施加层与所述基底基板之间形成粘附层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述平坦转移表面包括处理基板上的带。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述平坦转移表面与所述基底基板的上表面之间的所述固定距离被选择以提供所述基底基板的所述被剥离部分在裂纹传播时的平衡曲率。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括将所述基底基板的所述被剥离部分压到所述平坦转移表面上的辊。

9.根据权利要求1所述的方法，其中在从所述基底基板的第一边缘到所述基底基板的所述相对的第二边缘的方向上，沿着平行于所述基底基板的上表面的所述平面横移所述平坦转移表面包括：以1厘米/秒至1000米/秒的范围的速度横移所述平坦转移表面。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底基板的所述被剥离部分的厚度小于100微米。

11.一种转移材料层的方法，包括：

在基底基板的上表面上沉积应力施加层；

使所述应力施加层与转移辊在所述基底基板的第一边缘处接触，其中所述转移辊的半径选择以提供一辊曲率，该辊曲率等于从所述基底基板转移到所述转移辊的所述材料层的平衡曲率；以及

从所述基底基板的所述第一边缘到所述基底基板的第二边缘横移所述转移辊，以使所述基底基板分裂为剩余部分和被剥离部分，其中所述基底基板的所述被剥离部分是被转移到所述转移辊的所述材料层。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述基底基板包括半导体材料。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述基底基板具有比所述应力施加层小的断裂韧度。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述应力施加层包括金属、聚合物、剥离诱导带或其组合。

15.根据权利要求11所述的方法，还包括在所述应力施加层与所述基底基板之间形成粘附层。

16.根据权利要求11所述的方法，其中所述转移辊还包括用于接合所述应力施加层的粘合剂。

17.根据权利要求11所述的方法，其中使所述基底基板分裂的从所述基底基板的所述第一边缘到所述基底基板的第二边缘的所述转移辊的所述横移提供均匀的剥离力。

18.根据权利要求11所述的方法，其中从所述基底基板的所述第一边缘到第二边缘的所述转移辊的所述横移包括1厘米/秒到1000米/秒的范围的恒定速度。

19.根据权利要求11所述的方法，其中所述基底基板的所述被剥离部分的厚度小于100微米。