[发明专利]一种等离子刻蚀方法

权利要求书

1.一种在反应腔室内对基片进行刻蚀的等离子刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：在第一沉积条件下利用沉积气体对所述基片进行第一预定时间T1的沉积；

S2：在第一刻蚀条件下利用刻蚀气体和所述沉积气体对所述基片进行第二预定时间T2的刻蚀；

S3：循环步骤S1和S2第一预定次数N1；

S4：在第二沉积条件下利用所述沉积气体对所述基片进行第三预定时间T3的沉积；

S5：在第二刻蚀条件下利用刻蚀气体和所述沉积气体对所述基片进行第四预定时间T4的刻蚀；和

S6：循环步骤S4和S5第二预定次数N2。

2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，在步骤S6之后还包括步骤：

S7：在第三沉积条件下利用所述沉积气体对所述基片进行第五预定时间T5的沉积；

S8：在第三刻蚀条件下利用刻蚀气体对所述基片进行第六预定时间T6的刻蚀；和

S9：循环步骤S7和S8第三预定次数N3。

3.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，在步骤S6之后还包括步骤：

S7：在第三沉积条件下利用所述沉积气体对所述基片进行第五预定时间T5的沉积；

S8：在第三刻蚀条件下利用刻蚀气体和所述沉积气体对所述基片进行第六预定时间T6的刻蚀；和

S9：循环步骤S7和S8第三预定次数N3。

4.根据权利要求1-3任一所述的刻蚀方法，其特征在于，在循环执行步骤S4和S5的过程中所述第三预定时间T3逐渐减小。

5.根据权利要求4所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第三预定时间T3从7秒逐渐减小到4秒。

6.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一预定时间T1大于所述第二预定时间T2。

7.根据权利要求1-3任一所述的刻蚀方法，其特征在于，所述沉积气体为C4F8。

8.根据权利要求1-3任一所述的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀气体为SF6。

9.根据权利要求1-3任一所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一预定时间T1为30秒且所述第一预定次数N1=1。

10.根据权利要求5所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第四预定时间T4为6秒，所述第二预定次数N2大于等于50且小于等于100。

11.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一沉积条件和所述第二沉积条件均为所述反应腔室内的压力为15毫托且温度为20摄氏度、用于将所述沉积气体激发为等离子体的功率为1200瓦、所述沉积气体的流量为100标准毫升/分钟。

12.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一刻蚀条件和所述第二刻蚀条件均为所述反应腔室内的压力为30毫托且温度为20摄氏度、用于将所述气体激发为等离子体的功率为2500瓦，施加给所述基片的射频功率为20瓦、所述刻蚀气体的流量为200标准毫升/分钟且所述沉积气体的流量为20标准毫升/分钟。

13.根据权利要求2所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第三刻蚀条件为：所述反应腔室内的压力为30毫托且温度为20摄氏度、用于将所述气体激发为等离子体的功率为2500瓦，施加给所述基片的射频功率为20瓦、所述刻蚀气体的流量为200标准毫升/分钟，所述第三沉积条件为所述反应腔室的压力为15毫托且温度为20摄氏度、用于将所述沉积气体激发为等离子体的功率为1200瓦、所述沉积气体的流量为100标准毫升/分钟。

14.根据权利要求3所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第三刻蚀条件为所述反应腔室内的压力为30毫托且温度为20摄氏度、用于将所述气体激发为等离子体的功率为2500瓦，施加给所述基片的射频功率为20瓦、所述刻蚀气体的流量为200标准毫升/分钟且所述沉积气体的流量为20标准毫升/分钟；所述第三沉积条件为所述反应腔室的压力为15毫托且温度为20摄氏度、用于将所述沉积气体激发为等离子体的功率为1200瓦、所述沉积气体的流量为100标准毫升/分钟。

15.根据权利要求1-3任一所述的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法被用于进行MEMS器件的制作。