[发明专利]化合物硼磷酸铷铅和硼磷酸铷铅非线性光学晶体及制备方法和用途有效
申请号: | 201210302102.X | 申请日: | 2012-08-23 |
公开(公告)号: | CN103628136A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 潘世烈;王颖 | 申请(专利权)人: | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
主分类号: | C30B29/22 | 分类号: | C30B29/22;C30B15/00;C30B11/00;C30B17/00;G02F1/355 |
代理公司: | 乌鲁木齐中科新兴专利事务所 65106 | 代理人: | 张莉 |
地址: | 830011 新疆维吾尔*** | 国省代码: | 新疆;65 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 化合物 磷酸 非线性 光学 晶体 制备 方法 用途 | ||
1.一种化合物硼磷酸铷铅,其特征在于该化合物的化学式为RbPbBP2O8,分子量为493.41,采用固相反应法制备。
2.一种硼磷酸铷铅非线性光学晶体,其特征在于该晶体的化学式为RbPbBP2O8,分子量为493.41,属于四方晶系,空间群为I-42d,单胞参数为Z=4,
3.根据权利要求2所述的硼磷酸铷铅非线性光学晶体的制备方法,其特征在于采用固相反应法及化合物熔体法生长晶体,具体操作按下列步骤进行:
a、采用固相反应法,将含铷、含铅、含硼和含磷的原料按摩尔比1∶1∶1∶2混合均匀后,加热进行固相反应,获得硼磷酸铷铅的化合物;
b、将硼磷酸铷铅化合物在坩埚中加热到熔化,在温度750-800℃恒温4-15h,再降温至690-710℃,得到硼磷酸铷铅化合物熔体;
c、将固定于籽晶杆上的籽晶从晶体生长炉顶部下籽晶,使籽晶与硼磷酸铷铅熔体表面接触或伸入至硼磷酸铷铅化合物熔体中,降温至690-705℃,恒温或以温度0.1-10℃/天的速率降温,以0-100rpm的转速旋转籽晶,以0.1-15mm/h的速度向上提拉生长晶体;
d、待晶体生长到所需尺度后,将晶体提离熔体表面,以温度1-100℃/h的速率降至室温,然后将晶体从炉膛中取出,即可得到硼磷酸铷铅非线性光学晶体。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于含铷的化合物为Rb2O、Rb2CO3、RbNO3、Rb2C2O4·H2O、RbOH、RbC2H3O2、RbHCO3、RbF或RbCl;含铅的化合物为PbO、PbCO3、Pb(NO3)2、Pb(C2H3O2)2、Pb(OH)2、PbF2或PbCl2;含硼的化合物为B2O3或H3BO3;含磷的化合物为NH4H2PO4、(NH4)2HPO4或P2O5。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于步骤d制备RbPbBP2O8晶体采用提拉法或泡生法或坩埚下降法。
6.根据权利要求2所述的硼磷酸铷铅非线性光学晶体的用途,其特征在于该晶体用于在制备倍频发生器、上或下频率转换器或光参量振荡器。
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