[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

第一导电半导体层；

包括量子阱和量子势垒并且设置在所述第一导电半导体层上的有源层；以及

在所述有源层上的第二导电半导体层，

其中所述有源层包括：

与所述第二导电半导体层相邻的第一量子阱；

与所述第一量子阱相邻的第二量子阱；以及

在所述第一量子阱和第二所述第二量子阱之间的第一量子势垒，

在所述第二量子阱中的电子-空穴的复合率高于在所述第一量子阱中的电子-空穴的复合率，以及

所述第一量子阱的能级高于所述第二量子阱的能级。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一量子阱的组成比例与所述第二量子阱的组成比例不同。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中在所述第一量子阱中的铟(In)的组成比例低于在所述第二量子阱中的铟(In)的组成比例。

4.根据权利要求3所述的发光器件，其中在所述第一量子阱中的铟(In)的组成比例为9至10％，在所述第二量子阱中的铟(In)的组成比例为12％。

5.根据权利要求1至权利要求4中任一项所述的发光器件，其中所述第一量子阱在比所述第二量子阱的生长温度高的生长温度下生长。

6.根据权利要求1至权利要求4中任一项所述的发光器件，其中所述第一量子阱的载流子传输能力高于其它量子阱的载流子传输能力。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述第一量子势垒的厚度薄于其它量子势垒的厚度。

8.根据权利要求7所述的发光器件，其中在所述第一量子势垒的厚度为3nm至4nm时，其它量子势垒的厚度为6nm。

9.根据权利要求7所述的发光器件，其中在所述第一量子阱的能级高于所述第二量子阱的能级时，所述第一量子势垒的厚度足以防止从所述第二导电半导体层注入的载流子的隧穿通过所述第一量子势垒。

10.根据权利要求9所述的发光器件，其中在所述第一量子势垒为GaN量子势垒时，所述第一量子势垒的厚度为3nm至4nm，并且防止了载流子隧穿通过所述第一量子势垒。

11.根据权利要求7所述的发光器件，其中在所述第一量子阱的能级高于所述第二量子阱的用于电子-空穴的复合能级时，所述第一量子势垒的厚度为允许从所述第二导电半导体层注入的载流子隧穿通过所述第一量子势垒。

12.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述第一量子阱为其中不发生电子-空穴的复合的牺牲量子阱。

13.根据权利要求12所述的发光器件，其中设置在所述第一量子阱以及与所述第一量子阱相邻的所述第二量子阱之间的所述第一量子势垒的厚度为允许载流子隧穿的3nm或者更小。

14.根据权利要求12所述的发光器件，其中所述第一量子势垒不具有就量子力学而言的势垒的功能并且用作界面表面保持层，所述界面表面保持层形成和保持在所述第二量子阱和作为所述牺牲量子阱的所述第一量子阱之间的不连续和清晰的界面表面。

15.根据权利要求1至权利要求4中任一项所述的发光器件，还包括：形成在所述第二导电半导体层的下部的外周边部分处的保护元件。

16.根据权利要求15所述的发光器件，其中所述保护元件包括选自ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、ZnO、SiO₂、SiO_x、SiO_xN_y、Si₃N₄、Al₂O₃、TiO_x、TiO₂、Ti、Al和Cr中的至少之一。